上一篇文章主要講述了電源在設計階段應該注意的細節部分，本文主要講解在PCB制版和調試過程中需要注意的細節部分。

2、電源PCB設計階段應注意的細節

1、PCB對應的SCH網絡要對應，方便后續更新，花不了多少時間的。

2、PCB的元器件封裝，標準庫里面的按實際情況需要更改，貼片元件焊盤加大；插件元件的孔徑比元件管腳大0．3mm，焊盤直徑大于孔0．8mm以上，焊盤大些方便焊接，元器件過波峰焊也容易上錫，PCB廠家做出來也不容易破孔。還有很多細節的東西多了解些對生產是很大的功勞啊。

3、安規的要求在PCB上的體現，保險絲的安規輸入到輸出距離3mm以上，保險絲帶型號需要印在PCB上。PCB的板材也有不同的安規要求，對應需要做的認證與供應商溝通能否滿足要求。相應的認證編號需印到PCB上。初級到次級的距離8mm以上，Y電容注意選擇Y1還是Y2的，跨距也要求8mm以上，變壓器的初級與次級，用擋墻或者次級用三層絕緣線飛線等方法做爬電距離。

4、橋堆前L，N走線距離2．5mm以上，橋堆后高壓＋，－距離2．5mm以上。走線為大電流回路先走，面積越小越好。信號線遠離大電流走線，避免干擾，IC信號檢測部分的濾波電容靠近IC，信號地與功率地分開走，星形接地，或者單點接地，最后匯總到大電容的“－”引腳，避免調試時信號受干擾，或者抗擾度出狀況。

5、IC方向，貼片元器件的方向，盡量放到整排整列，方便過波峰焊上錫，提高產線效率，避免陰影效應，連錫，虛焊等問題出現。

6、打AI的元器件需要根據相應的規則放置元器件，之前看過一個日本的PCB，焊盤做成水滴狀，AI元件的引腳剛好在水滴狀的焊盤上，漂亮。

7、PCB上的走線對輻射影響比較大，可以參考相關書籍。還有1種情況，PCB當單面板布線，弄完后，在頂層敷整塊銅皮接大電容地，抑制傳導和輻射很有效果。

8、布線時，還需要考慮雷擊，ESD時或其他干擾的電流路徑，會不會影響IC。

3、電源調試階段應注意的細節

1、萬用表先測試主電流回路上的二極管，MOSFET，有沒有短路，有沒有裝反，變壓器的感量與漏感是否都有測試，變壓器同名端有沒有繞錯。

2、開始上電，我的習慣是先上100V的低壓，PWM沒有輸出。用示波器看VCC，PWM腳，VCC上升到啟動電壓，PWM沒有輸出。檢查各引腳的保護功能是否被觸發，或者參數不對。找不到問題，查看IC的上電時序圖，或者IC的datasheet里面IC啟動的條件。示波器使用時需注意，3芯插頭的地線要拔掉，不拔掉的話最好采用隔離探頭掛波形，要不怎么炸機的都不知道。用2個以上的探頭時，2根探頭的COM端接同1個點，避免影響電路，或者夾錯位置燒東西。

3、IC啟動問題解決了，PWM有輸出，發現啟動時變壓器嘯叫。掛MOSFET的電流波形，或者看Isense腳底波形是否是三角波，有可能是飽和波形，有可能是方波。需重新核算ΔB，還有種情況，VCC繞組與主繞組繞錯位置。也有輸出短路的情況，還有RCD吸收部分的問題，甚至還碰到過TVS壞了短路的情況。

4、輸出有了，但是輸出電壓不對，或者高了，或者低了。這個需要判斷是初級到問題，還是次級的問題。掛輸出二極管電壓電流波形，是否是正常的反激波形，波形不對，估計就是同名端反了。檢查光耦是否損壞，光耦正常，采用穩壓管＋1K電阻替換431的位置，即可判斷輸出反饋431部分，或者恒流，或者過載保護等保護的動作。常見問題，光耦腳位畫錯，導致反饋到不了前級。431封裝弄錯，一般431的封裝有2種，腳位有鏡像了的。同名端的問題會導致輸出電壓不對。

5、輸出電壓正常了，但是不是精確的12V或者24V，這個時候一般采用2個電阻并聯的方式來調節到精確電壓。采樣電阻必須是1％或者0．5％。

6、輸出能帶載了，帶滿載變壓器有響聲，輸出電壓紋波大。掛PWM波形，是否有大小波或者開幾十個周期，停幾十個周期，這樣的情況調節環路。431上的C與RC，現在的很多IC內部都已經集成了補償，環路都比較好調整。環路調節沒有效果，可以計算下電感感量太大或者太小，也可以重新核算Isense電阻，是否IC已經認為Isense電阻電壓較小，IC工作在brust mode。可以更改Isense電阻阻值測試。

7、高低壓都能帶滿載了，波形也正常了。測試電源效率，輸入90V與264V時效率盡量做到一致（改占空比，匝比），方便后續安規測試溫升。電源效率一般參考老機種效率，或者查能效等級里面的標準參考。

8、輸出紋波測試，一般都有要求用47uF＋104，或者10uF＋104電容測試。這個電解電容的容值影響紋波電壓，電容的高頻低阻特性（不同品牌和系列）也會影響紋波電壓。示波器測試紋波時探頭上用彈簧測試探頭測試可以避免干擾尖峰。輸出紋波搞不定的情況下，可以改容量，改電容的系列，甚至考慮采用固態電容。

9、輸出過流保護，客戶要求精度高的，要在次級放電流保護電路，要求精度不高的，一般初級做過流保護，大部分IC都有集成過流或者過功率保護。過流保護一般放大1．1－1．5倍輸出電流。最大輸出電流時，元器件的應力都需要測試，并留有余量。電流保護如增加反饋環路可以做成恒流模式，無反饋環路一般為打嗝保護模式。做好過流保護還需要測試滿載＋電解電容的測試，客戶端有時提出的要求并未給出是否是容性負載，能帶多大的電容起機測試了后心里比較有底。

10、輸出過壓保護，穩定性要求高的客戶會要求放2個光耦，1個正常工作的，一個是做過壓保護的。無要求的，在VCC的輔助繞組處增加過壓保護電路，或者IC里面已經有集成的過壓保護，外圍器件很少。

11、過溫保護一般要看具體情況添加的，安規做高溫測試時對溫度都有要求，能滿足安規要求溫度都還可以，除非環境復雜或者異常情況，需要增加過溫保護電路。

12、啟動時間，一般要求為2S，或者3S內起機，都比較好做，待機功耗做到很低功率的方案，一般IC都考慮好了。沒有什么問題。

13、上升時間和過沖，這個通過調節軟啟動和環路響應實現。

14、負載調整率和線性調整率都是通過調節環路響應來實現。

15、保持時間，更改輸入大電容容量即可。

16、輸出短路保護，現在IC的短路保護越做越好，一般短路時，IC的VCC輔助繞組電壓低，IC靠啟動電阻供電，IC啟動后，Isense腳檢測過流會做短路保護，停止PWM輸出。一般在264V輸入時短路功率最大，短路功率控制住2W以內比較安全。短路時需要測試MOSFET的電流與電壓，并通過查看MOSFET的SOA圖（安全工作區）對應短路是否超出設計范圍。

17、空載起機后，輸出電壓跳。有可能是輕載時VCC的輔助繞組感應電壓低導致，增加VCC繞組匝數，還有可能是輸出反饋環路不穩定，需要更新環路參數。

18、帶載起機或者空載切重載時電壓起不來。重載時，VCC輔助繞組電壓高，需查看是否過壓，或者是過流保護動作。

還有變壓器設計時按照正常輸出帶載設計，導致重載或者過流保護前變壓器飽和。

19、元器件的應力都應測試，滿載、過載、異常測試時元器件應力都應有余量，余量大小看公司規定和成本考慮。 性能測試與調試基本完成。調試時把自己想成是設計這顆IC的人，就能好好理解IC的工作情況并快速解決問題。 這些全都按記憶寫的，有點亂，有些沒有記錄到，后續想到了再補上。

下回我們在說說EMC和最終定版時候注意的細節部分！