各位朋友大家好！周末悄然而至，你的周末又在加班嗎？話不多說，今天和大家談論一下功率半導體器件驅動的事情。由于水平有限，如有錯誤還需大家多多包涵。

       驅動電路有許多種，不同的應用場景驅動電路也各有不同，多數情況下，我們獲取知識的途徑是知網，我們看看，目前學者們對驅動電路的研究現狀。首先打開知網首頁，在搜索框中選擇關鍵詞，輸入“驅動電路”，來看看結果。一下子搜索出了5000多條信息。

       現在第三代寬禁帶半導體器件的快速發展，可以突破Si器件的極限，那么寬禁帶功率器件有諸多的優點，如：開關頻率高、導通電阻小、寄生參數小等優勢。驅動電路的性能要求也在逐漸的提高。下面看看，SiC驅動電路的研究。搜索發現，對寬禁帶半導體的研究也非常多，這里就不一一羅列介紹，有興趣的朋友可以自行查閱。

       這里主要跟大家談談，開關器件的仿真問題。功率器件開關過程分析起來比較復雜，通常實際情況我們往往做了簡化，尤其是在仿真軟件中，所有的器件都是理想器件，沒有寄生參數，那么如果仿真中不考慮這些參數，那么我們的仿真結果就很難與實際結果相一致，這里舉個例子吧，之前學習中從來就沒有注意過功率器件的開關過程，只是簡單的把開關比作為平時所見的開關。其實功率半導體器件開關過程中有許多的學問，比如密勒平臺電壓是怎么形成的？橋臂串擾如何產生的，又該如何抑制？如何減小驅動電路的功率損耗？等等。之前在仿真的時候從來就沒有考慮過寄生參數，前段時間注意到了這個問題，仿真過程中加入了寄生參數，仿真結果發生了明顯的改變。下面就分享一個MOS器件1MHz驅動仿真實驗，利用仿真軟件分別搭建了輸入200V，輸出400V、2.5A的Boost變換器。重點來看看驅動波形。開關管寄生電容全部考慮，這里驅動電路采用諧振驅動方式。密勒電容Cgd=80pF，仿真結果如下：

       圖中第一個波形是開關管驅動波形，第二個為輸出功率波形，與輸出電壓相同，只是數值不同。實驗中，通過改變Cgd數值發現，平臺持續時間也會隨之改變。至于具體怎么變化，怎么影響，有興趣的朋友可以自行研究或討論。高頻驅動中，如果驅動電路不做特殊考慮，那么電路的串擾也是一個十分重要的問題。

       驅動電路輸入電容Ciss和電路阻抗過大，在關斷過程中會造成圖中現象，導致開關管誤導通。加入串擾抑制電路后，可以很好的解決。

        加入抑制電路后，可以看到上述現象得到解決。

        下面再來看看軟開關Boost變換器中的功率開關管的仿真波形，參數條件和上述案例相同。

         1Mhz時，不考慮驅動電路串擾抑制。

       圖中可以看出驅動電路不滿足驅動要求，如果改變參數，驅動電路的干擾會發生不同的變化。加入串擾抑制電路后，仿真結果如下。

        圖中為開關管驅動波形和輸出電壓波形。

       圖中為諧振電感電流和電壓波形。

       串擾問題得到了很好的解決。

       仿真中發現，軟開關Boost變化器，開關管驅動波形中沒有了平臺電壓，這是由于什么原因造成的呢？這點十分困惑，哪位熱心朋友可以幫助解答？