本節討論級聯型GaN工作原理，歡迎熟悉工作特性的朋友一起交流。

目前單體GaN耐壓十分有限，普遍做到200V，那么高壓領域該如何解決呢？隨之級聯型高壓GaN結構提出，解決了高壓領域的應用問題，目前可以達到900V。最具有代表的是Transphorm公司產品。

級聯結構是利用低壓MOS和耗盡型GaN進行級聯，形成可以耐高壓的器件。

圖1 級聯器件等效模型

圖2 輸出伏安特性

那么為什么低壓Si MOS和常開型GaN級聯后就形成了耐高壓的器件呢？目前也有一些論文在研究級聯型GaN，但很少講述其工作特性。下面分享一篇論文中關于級聯型GaN的工作特性分析。這是偶然間發現的文章，感覺講的挺詳細，在這里分享給大家。

上述過程詳細分析了級聯GaN的工作特性，但是在Vds夾高壓時，Vgs=0時，器件正向阻斷特性是如何分析的呢（黃色標記部分）？這里還是有一些模糊。如果對本部分感興趣的朋友，可以一起討論啊！

【參考文獻】

Cascode型GaN功率器件的開關過程及損耗分析

需要閱讀全文的朋友可以自行下載文章研究。歡迎大家留言討論，或者發現更詳細講述級聯GaN的資料一起分享學習。