3.2 turn-on 狀態

工作在Q1和Q4象限

注意：相比其他象限，Q4的Igt比較高，di/dt能力較弱

工作在Q2和Q3象限

工作在Q1和Q3象限

IGT：能夠使可控硅導通的最低觸發電流

VGT：能夠使可控硅導通的最低觸發電壓

注意：IGT為負溫度系數，建議設計值為規格書標稱值的3倍.

Rg電阻的選擇：

di/dt實測波形  (di/dt超出規格會導致triac損壞)

波形展開：

IL：擎住電流：當主回路電流大到去除觸發電流后可以照常觸發導通時的電流.（負溫度系數）

3.3 ON狀態

I T(RMS) ：通態均方均根電流.在額定結溫, 允許流過器件的最大有效電流值。                     

在任何條件下流過器件的電流有效值，不超過對應殼溫下的方均根電流值

功率損耗的計算

IH-- 維持電流；在門極斷路時。規定環境溫度和元件導通條件下，要保持元件能處于導通狀態所必須的最小正向電流

以上triacs的關鍵參數和注意事項已經介紹完畢，后面整理下實際的驅動電路與大家分享.