同單管正激一樣這種電路最大的缺點是開關(guān)管上要承受2倍輸入電壓，比如在一些AC-DC應(yīng)用中需要用到800V的MOS管導(dǎo)致性價比不高。

一般單管正激可以通過調(diào)節(jié)復(fù)位繞組的匝數(shù)來降開關(guān)管電壓應(yīng)力，見下圖：

           圖12 不等復(fù)位繞組的單管正激

  如圖12將復(fù)位繞組設(shè)置為初級繞組的2倍，理論上MOS管承受電壓應(yīng)力為

  Vds=Vin+Vin/2 =1.5Vin。

  實際上這種非等匝比繞組的漏感較難處理，因為漏感的存在MOS管還會承受一個尖峰電壓，見下圖仿真：

      圖13復(fù)位繞組耦合不理想引發(fā)尖峰電壓

  上圖13輸入電壓100V，MOS管電壓理論鉗位值為100*1.5=150V，但漏感引起了很高的尖峰電壓，所以實際電路還需增加RCD鉗位電路不僅降低了效率還增加了電路的復(fù)雜度。

  將之前的等效雙管電路稍作改進(jìn)不但可以解決開關(guān)管的耐壓問題還同時解決了漏感問題。

  圖14 改進(jìn)版等效雙管正激電路及原理分析

  如圖14所示，增加的輔助繞組相當(dāng)于增加了一個獨立電源，鉗位電容上的電壓由原來的Vin變?yōu)閂in-Va，MOS管上的電壓應(yīng)力也由2Vin變?yōu)?Vin-Va，而每個初級繞組上都有與之對應(yīng)的鉗位電路使漏感能量得到有效吸收，仿真結(jié)果如下：

         圖15 改進(jìn)版等效雙管正激波形

  仿真結(jié)果顯示這種改進(jìn)后的等效電路達(dá)到了預(yù)期效果消除了由漏感引發(fā)的尖峰問題。

  由于不受漏感和工藝限制輔助繞組的匝數(shù)可以任意設(shè)計，這里取輔助繞組匝數(shù)為初級繞組的1/4，當(dāng)輸入電壓為DC310V時得到如下仿真波形：

圖16 輸入電壓Vin=DC310V、 Va=Vin/4的仿真波形

對于直流310V輸入，MOS管承受的電壓Vds=550V。

對應(yīng)的最大占空比公式為：

當(dāng)前參數(shù)下Dmax=0.429。

另外如果輔助繞組電壓Va采用獨立可調(diào)電壓源則最大占空比將不受此限制，由于增加了電路的成本和復(fù)雜度這里不做過多探討。