【討論】關(guān)于開關(guān)電源中開關(guān)頻率與變壓器和MOS的選取
今天在跟公司的工程師探討中說道這個話題，就是在電源越來越小的情況下，就要求變壓器的體積越來越小，變壓器體積小，就要求開關(guān)頻率很高，但是開關(guān)頻率高啦，MOS管的損耗又會上來，大家覺得是這樣的嗎？
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現(xiàn)在能量轉(zhuǎn)換都是在電磁之間進(jìn)行，磁性材料的儲能是與頻率和體積直接相關(guān)的：E=0.5VB2f/u，頻率越高、磁性材料的體積越大、磁擺幅越大、磁導(dǎo)率越小都可以提高輸出功率。所以要提高功率密度，就要想辦法減小體積，提高頻率，增大磁擺幅。
從公式上看，降低磁導(dǎo)率也可以提高輸出功率，但這樣做的話，在相同磁擺幅條件下，磁場強(qiáng)度H將會增大，即NI增大，這樣可能會帶來更大的損耗，所以通常不會采用這種方法。
頻率的提升會帶來各種損耗增大，鐵損隨頻率提高而增大，集膚效應(yīng)和鄰近效應(yīng)使得銅損也會隨頻率提高而所有增大，MOS管的輸入輸出結(jié)電容損耗、漏感損耗都會隨頻率的提高而增大，不過這些問題可以通過軟開關(guān)等技術(shù)解決一部分。
頻率升高還會帶來其他問題，比如EMI、環(huán)路響應(yīng)，不過提高頻率是提高功率密度的必然選擇。
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@amonson
現(xiàn)在能量轉(zhuǎn)換都是在電磁之間進(jìn)行，磁性材料的儲能是與頻率和體積直接相關(guān)的：E=0.5VB2f/u，頻率越高、磁性材料的體積越大、磁擺幅越大、磁導(dǎo)率越小都可以提高輸出功率。所以要提高功率密度，就要想辦法減小體積，提高頻率，增大磁擺幅。從公式上看，降低磁導(dǎo)率也可以提高輸出功率，但這樣做的話，在相同磁擺幅條件下，磁場強(qiáng)度H將會增大，即NI增大，這樣可能會帶來更大的損耗，所以通常不會采用這種方法。頻率的提升會帶來各種損耗增大，鐵損隨頻率提高而增大，集膚效應(yīng)和鄰近效應(yīng)使得銅損也會隨頻率提高而所有增大，MOS管的輸入輸出結(jié)電容損耗、漏感損耗都會隨頻率的提高而增大，不過這些問題可以通過軟開關(guān)等技術(shù)解決一部分。頻率升高還會帶來其他問題，比如EMI、環(huán)路響應(yīng)，不過提高頻率是提高功率密度的必然選擇。
這就需要在選擇原材料時格外注意，都要考慮到。
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@amonson
現(xiàn)在能量轉(zhuǎn)換都是在電磁之間進(jìn)行，磁性材料的儲能是與頻率和體積直接相關(guān)的：E=0.5VB2f/u，頻率越高、磁性材料的體積越大、磁擺幅越大、磁導(dǎo)率越小都可以提高輸出功率。所以要提高功率密度，就要想辦法減小體積，提高頻率，增大磁擺幅。從公式上看，降低磁導(dǎo)率也可以提高輸出功率，但這樣做的話，在相同磁擺幅條件下，磁場強(qiáng)度H將會增大，即NI增大，這樣可能會帶來更大的損耗，所以通常不會采用這種方法。頻率的提升會帶來各種損耗增大，鐵損隨頻率提高而增大，集膚效應(yīng)和鄰近效應(yīng)使得銅損也會隨頻率提高而所有增大，MOS管的輸入輸出結(jié)電容損耗、漏感損耗都會隨頻率的提高而增大，不過這些問題可以通過軟開關(guān)等技術(shù)解決一部分。頻率升高還會帶來其他問題，比如EMI、環(huán)路響應(yīng)，不過提高頻率是提高功率密度的必然選擇。
E=0.5VB2f/u學(xué)習(xí)了一個公式，消化消化，感謝高手們無私奉獻(xiàn)
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