請前輩指點。這個電路的目的是驗證一個驅動電路。先將信號圖騰柱功率放大，然后經變壓器隔離匝比是1.75：1 ，直接驅動MOSFET。（圖騰柱我沒有加隔離電容）

PWM信號用的波形發生器0-10V的方波

目前幾個問題如下

1.圖騰柱輸出電壓總是遠低于PWM信號的輸入電壓。應該是9.3V左右但是輸出卻是5V左右。

2.圖騰柱的下管在做實驗的時候總是損壞。R7是我后加上去的，想解決下管損壞造成直通的問題不知道是否可行。

3.驅動的波形有些像是梯形波尖峰比較大 上升沿有臺階。磁材的初始磁導率比較高3300。有可能我的描述還不是很詳細，請幫忙指出 謝謝。

1,5V左右是正常的,10/5.7=1.75/1

2,R7加上去的理由是什么?不加又會怎樣?Q2直通后直接把R7短路了,R7在這里起不到任何作用,把它加在Q2的C極還可以說有點限流作用.

3,你說的驅動波形是指那里?PWM?還是Q? MC6FETN 

我指的5V是驅動變壓器的原邊，剛剛發現是上管損壞。后來加了個RD復位也是沒有效果只要一加上VCC上管就會損壞,上管的BE級開路。

R7的目的是為了讓MOS快速關斷，前面描述錯誤。其實不加也可以 我后邊已經加了快速放電的Q3了。

驅動波形 變壓器原邊現在就出現問題，后邊還沒有波形

我怎么才能實現PWM信號放大+驅動變壓器+MOSFET呢。目前我只能實現PWM信號放大+隔離電容+驅動變壓器+MOSFET。請各位版主幫忙看下 謝謝。

來學習

將R1,R7,R6還有跟D串聯的電阻都去掉吧，否則對波形都是會有影響的

圖騰跟變壓器之間的隔直電容還是需要的，變壓器中加入直流分量，你仔細想想會帶來什么后果？復位的二極管也要加上去

因為你的輸入電壓只有12V，所以驅動MOSFET的變壓器匝比1：1最好，按照你的匝比，MOSFET的驅動電壓可能會不太夠，引起很大的開關損耗

心中有冰 老師 您好 感謝您的指導。

我是否可以這樣理解 圖騰柱電路類似于推挽如果不加隔直電容，變壓器中加入直流分量引起磁飽合。所以電流流經上管BE級開路損壞。

那如果是這樣的話我想直接用變壓器驅動MOSFET且要將PWM信號放大就不能用圖騰柱，或者如果用圖騰柱的話就必須要加隔直電容對嗎？

沒有理解你這句“想直接用變壓器驅動MOSFET且要將PWM信號放大就不能用圖騰柱，或者如果用圖騰柱的話就必須要加隔直電容”

圖騰柱是對電流放大，如果你要得到更高的電壓的話可以在變壓器匝比上得到。

我來解釋一下這句話“想直接用變壓器驅動MOSFET且要將PWM信號放大就不能用圖騰柱”可能會有歧義。謝謝提醒 圖騰柱功率放大 很早我就說明了。我知道不是在放大電壓。我的意思是將我的PWM信號先功率（電流）放大然后接驅動變壓器（不接隔直電容）然后驅動MOSFET。變壓器的匝比先不用考慮。如果電壓不夠的話肯定是要選擇1：1的。目前我手頭上只有1.75：1的。我是用這個來驗證一下。我的意思是既然不接隔直電容那么就不能用圖騰柱了，因為其類似于推挽會在變壓器上產生直流分量。

以上有不當的 忘指出 謝謝

我覺得這是一個問題：PWM信號是0～10V的，而供電是12V，那么當PWM為10V時，對于下管來說，E的電壓是12V，B的電壓是10V，此時E結還是可以導通，去掉上管的壓差，下管不說完全導能，至少可以工作，而此時上管也是導通的，這樣就直通了，所以會壞管子，輸出電壓肯定也不夠。一般來說，我用圖騰柱時，一定要保證PWM的電壓和VCC電壓一致。

圖騰柱我一般都用MOS管，導通壓降小一點，感覺更好一點，都取15發，脈變1：1，到次級所要驅動的MOS管時電壓基本上也是15V。

還有，R1是一個20歐的電阻，供電是12V，這樣脈沖電流只有0.5A的樣子，到次級也就0.5A，對于小MOS還行，大一點的肯定不行。而R1這個電阻加了后會對圖騰柱起到保護作用，所以我一般取R1為4.7，在R1后對地接一個電解電容，一個獨石電容，這樣取電基本上都從電容取了，不會降低電壓，這樣即可以起到保護作用，還可以通過獨石電容濾去一些高頻的東西。

在圖騰柱的輸出的地方我一般接一個電阻并聯一個電容，電容可以加速前沿，這對次級驅動很有利，電阻可以起到保護作用。

R7不能要，只會增加損耗。

圖騰柱輸出的地方可以接兩個二極管4148，一個接到VCC上，一個接到地上，不用串電阻，也會對圖騰住起到很好的保護作用。

以上說的東西是個人的一些理解，不妥之處望大家批評指正。

你說的這種我在一些資料上面有看到過，很經典。謝謝指點

隔直電容是沒法省的

PWM信號是有直流分量的

而變壓器繞組是不允許有直流分量的。