一個知識普及:
單硅的原理:
1,觸發(fā):后級觸發(fā)電容充電(關(guān)斷電容也沒歇菜也在充電,為他的工作開始鋪墊),觸發(fā)電容兩端電壓開始上升,到30V左右(DB3的導(dǎo)通閾值),DB3導(dǎo)通,可控硅控制極得到觸發(fā)電流,可控硅導(dǎo)通。
2,失觸:由于DB3對可控硅的放電,觸發(fā)電容端電壓迅速下降,直到低于DB3截止閾值,DB3截止,可控硅失去觸發(fā)電流,但可控硅一旦觸發(fā),不可自行逆轉(zhuǎn),仍然傻瓜一樣導(dǎo)通,除非電流過零。,使可控硅過零只有2個方案:1,掉電,就是斷開可控硅,2,給可控硅施加1個相反方向的電流。
3,關(guān)斷:觸發(fā)電容充電同時,關(guān)斷電容也在充電,可控硅一旦導(dǎo)通,相當于使LC關(guān)斷電路短路,關(guān)斷電容正程對電感放電,在電感兩端產(chǎn)生一個逆程電流,既然叫“逆程”電流,說明此時在LC回路中流過的電流和充電電流是相反方向的,這個反向電流最終反向施加到可控硅,強行對沖可控硅流過的電流,使電流過零,粗暴而強制的截止可控硅。
LC串聯(lián)的所謂關(guān)斷電路,在別的應(yīng)用中叫:“移相” “倒相”電路,顧名思義:就是這玩意可以讓電流反向。比如:單向電動機,副饒組和電容串聯(lián)就是起到移相作用,風扇,洗衣機才會轉(zhuǎn)起來嘛!
主題思想:
單硅有個毛病,效率低了點,為什么?就怪LC關(guān)斷電路!他消耗了很多的能源,他要充電的啊?他要放電的哦,放出去的電又沒有去到網(wǎng)抄,只是施加到可控硅使那SB關(guān)斷而已!一個方向性的建議:寧可電感大點,電容小點,這樣效率高點,電容容量越大,需要的充電電流越大,導(dǎo)致JJ的消耗越大,做的無用功更多,保證脈寬和可靠關(guān)斷前提下,建議你最好配1UF的電容+5MH的電感,而不是5UF的電容+1MH的電感,當然:這是個方向性的指導(dǎo),這些數(shù)字不能當真,總之,為了效率,寧可L大C小,不為L小C大。