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弱弱的問一聲;為啥LED會發光?

麻煩大師告訴;同樣是二極管;為啥有LED能發光;而硅、鍺二極管就沒有?哪怕很小的一點光都沒有?菜鳥謝啦
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gmgdxu
LV.4
2
2010-07-05 08:34

自己在網上一找就知道答案了

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水蜘蛛
LV.8
3
2010-07-05 11:39
@gmgdxu
自己在網上一找就知道答案了

我只找到了LED發光原理。可同樣是電子躍遷;為啥硅/鍺管就沒光呢?始終沒找到原因。

按照可逆原理;硅/鍺管可以見光發電,LED冒似也行。

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2010-07-05 14:05
@水蜘蛛
我只找到了LED發光原理。可同樣是電子躍遷;為啥硅/鍺管就沒光呢?始終沒找到原因。按照可逆原理;硅/鍺管可以見光發電,LED冒似也行。
想發光就發光!!!!
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powerants
LV.6
5
2010-07-05 15:02
這只水蜘蛛,思維真是天馬行空,我喜歡
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paloalto
LV.6
6
2010-07-05 15:34
上帝說:要有光!于是,就有了光。
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erwa
LV.3
7
2010-09-17 13:21
@水蜘蛛
我只找到了LED發光原理。可同樣是電子躍遷;為啥硅/鍺管就沒光呢?始終沒找到原因。按照可逆原理;硅/鍺管可以見光發電,LED冒似也行。

發熱了嘛,說明有紅外線發出來啊。紅外線也是光,只是我們看不到。

 

只是LED能發出可見光范圍內的光。發什么波長的光跟電子躍遷的能級有關,也就跟半導體材料有關。

 

自己想當然的,不保證正確。哈哈··

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2010-09-17 15:20

LED是由3-5Z族化合物,如GaAs、GaP、GaAsP等半導體制成的,其核心是PN結,而PN結在一定條件下具有發光的特性。

   PN結根據器端電壓構成一定的勢壘,當加正向偏置電壓時勢壘下降,P區和N區的多數載流子向對方擴散。由于電子遷移率比空穴遷移率大得多,出現大量電子向P區擴散,構成對P區少數載流子的注入。這些電子與價帶上的的空穴復合時得到的能量以光的形式釋放。這就是PN結發光的原理。    

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水蜘蛛
LV.8
9
2010-09-17 15:42
@xhpxhpxhp89
LED是由3-5Z族化合物,如GaAs、GaP、GaAsP等半導體制成的,其核心是PN結,而PN結在一定條件下具有發光的特性。  PN結根據器端電壓構成一定的勢壘,當加正向偏置電壓時勢壘下降,P區和N區的多數載流子向對方擴散。由于電子遷移率比空穴遷移率大得多,出現大量電子向P區擴散,構成對P區少數載流子的注入。這些電子與價帶上的的空穴復合時得到的能量以光的形式釋放。這就是PN結發光的原理。    
謝謝!長見識了。能隙帶寬;導致電子約遷釋放的能量波長剛好落到了可見光區域,這樣理解對吧?
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John2010
LV.5
10
2010-09-17 17:44
@水蜘蛛
謝謝!長見識了。能隙帶寬;導致電子約遷釋放的能量波長剛好落到了可見光區域,這樣理解對吧?

什么是LED? 發光二極管。

不發光能叫LED嗎?

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xhpxhpxhp89
LV.1
11
2010-09-19 10:00
@水蜘蛛
謝謝!長見識了。能隙帶寬;導致電子約遷釋放的能量波長剛好落到了可見光區域,這樣理解對吧?

可以,光的峰值波長與發光區域的半導體材料禁帶寬度Eg有關,即:

                                        波長=1240/Eg(nm)

其中Eg的單位是電子伏特(eV)。若能產生可見光(波長在380nm的紫光到780nm的紅光),半導體材料的Eg應該在3.26~1.63eV之間。所以只有特定的二極管才能發出可見光。比紅光波長長的光為紅外光。

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2010-09-19 21:53
@xhpxhpxhp89
LED是由3-5Z族化合物,如GaAs、GaP、GaAsP等半導體制成的,其核心是PN結,而PN結在一定條件下具有發光的特性。  PN結根據器端電壓構成一定的勢壘,當加正向偏置電壓時勢壘下降,P區和N區的多數載流子向對方擴散。由于電子遷移率比空穴遷移率大得多,出現大量電子向P區擴散,構成對P區少數載流子的注入。這些電子與價帶上的的空穴復合時得到的能量以光的形式釋放。這就是PN結發光的原理。    

是的,正式因為復合時只有少部分能力轉變成了光能,其余的能量則以熱的形式釋放掉了,所以LED的光效不高

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zysandy
LV.5
13
2010-09-20 08:00
其實這個問題能在百度找到哈
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01154028
LV.2
14
2010-09-24 15:21
@xhpxhpxhp89
可以,光的峰值波長與發光區域的半導體材料禁帶寬度Eg有關,即:                                       波長=1240/Eg(nm)其中Eg的單位是電子伏特(eV)。若能產生可見光(波長在380nm的紫光到780nm的紅光),半導體材料的Eg應該在3.26~1.63eV之間。所以只有特定的二極管才能發出可見光。比紅光波長長的光為紅外光。
發光二極管的這個   光  指的是可見光,其他的只不是波長不在可見光波段內,看不到而已,并不是沒有。
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martin0105
LV.2
15
2010-09-25 21:23
@gmgdxu
自己在網上一找就知道答案了

“母”的電子,“公”的空穴,相互吸引、結合,產生。

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水蜘蛛
LV.8
16
2010-09-25 21:44
@martin0105
“母”的電子,“公”的空穴,相互吸引、結合,產生。

太形象了!

生出了光和熱!

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2010-09-25 21:45
@心中有冰
是的,正式因為復合時只有少部分能力轉變成了光能,其余的能量則以熱的形式釋放掉了,所以LED的光效不高

LED光效不高?現在的大功率LED光效已經非常高了。。

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anguslin
LV.5
18
2010-09-26 09:01
其發光過程包括三部分:正向偏壓下的載流子注入、復合輻射和光能傳輸。微小的半導體晶片被封裝在潔凈的環氧樹脂物中,當電子經過該晶片時,帶負電的電子移動到帶正電的空穴區域并與之復合,電子和空穴消失的同時產生光子。電子和空穴之間的能量(帶隙)越大,產生的光子的能量就越高。光子的能量反過來與光的顏色對應,可見光的頻譜范圍內,藍色光、紫色光攜帶的能量最多,桔色光、紅色光攜帶的能量最少。由于不同的材料具有不同的帶隙,從而能夠發出不同顏色的光。
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水蜘蛛
LV.8
19
2010-09-26 10:16
@anguslin
其發光過程包括三部分:正向偏壓下的載流子注入、復合輻射和光能傳輸。微小的半導體晶片被封裝在潔凈的環氧樹脂物中,當電子經過該晶片時,帶負電的電子移動到帶正電的空穴區域并與之復合,電子和空穴消失的同時產生光子。電子和空穴之間的能量(帶隙)越大,產生的光子的能量就越高。光子的能量反過來與光的顏色對應,可見光的頻譜范圍內,藍色光、紫色光攜帶的能量最多,桔色光、紅色光攜帶的能量最少。由于不同的材料具有不同的帶隙,從而能夠發出不同顏色的光。

謝謝大俠!真專業!

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jack xu
LV.4
20
2010-09-27 08:33
@水蜘蛛
謝謝大俠!真專業!
專業是專業,但是聽起來還是很抽象,特別是沒接觸過LED的人來說。
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ahu5
LV.5
21
2010-09-29 19:26
@水蜘蛛
我只找到了LED發光原理。可同樣是電子躍遷;為啥硅/鍺管就沒光呢?始終沒找到原因。按照可逆原理;硅/鍺管可以見光發電,LED冒似也行。

led也可以,只是很微弱。

像有些單片機控制的led燈就用到了led的吸收光的原理

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nk6108
LV.8
22
2012-08-02 01:55
@心中有冰
是的,正式因為復合時只有少部分能力轉變成了光能,其余的能量則以熱的形式釋放掉了,所以LED的光效不高

只有復合才能令半導體發光,擴散流是沒用的!

新一代的LED是 PIN 架構,I 層為大規模復合提供條件,

PN材料各有兩層,緊貼 I 層的很薄,窄禁帶,與電極連接的外圍區則是寬禁帶的,這會造成 量子阱,既使能量的釋放集中于一處,又使電子的躍遷能階得以規范。

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nk6108
LV.8
23
2012-08-03 00:29
@anguslin
其發光過程包括三部分:正向偏壓下的載流子注入、復合輻射和光能傳輸。微小的半導體晶片被封裝在潔凈的環氧樹脂物中,當電子經過該晶片時,帶負電的電子移動到帶正電的空穴區域并與之復合,電子和空穴消失的同時產生光子。電子和空穴之間的能量(帶隙)越大,產生的光子的能量就越高。光子的能量反過來與光的顏色對應,可見光的頻譜范圍內,藍色光、紫色光攜帶的能量最多,桔色光、紅色光攜帶的能量最少。由于不同的材料具有不同的帶隙,從而能夠發出不同顏色的光。
這能量表現為頻率,參與發光的載流子的數量 才是亮度。
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2012-08-03 15:42
@nk6108
這能量表現為頻率,參與發光的載流子的數量才是亮度。
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junestar520
LV.9
25
2012-08-03 16:09
@anguslin
其發光過程包括三部分:正向偏壓下的載流子注入、復合輻射和光能傳輸。微小的半導體晶片被封裝在潔凈的環氧樹脂物中,當電子經過該晶片時,帶負電的電子移動到帶正電的空穴區域并與之復合,電子和空穴消失的同時產生光子。電子和空穴之間的能量(帶隙)越大,產生的光子的能量就越高。光子的能量反過來與光的顏色對應,可見光的頻譜范圍內,藍色光、紫色光攜帶的能量最多,桔色光、紅色光攜帶的能量最少。由于不同的材料具有不同的帶隙,從而能夠發出不同顏色的光。

學習了......

 

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