條件是:
輸入380,輸出電壓30V,電流160A
成本不是主要的.
設計的拓撲不限制,請各位專家不吝指教!
請教各位電源專家,對于一個4500W的電源的效率能到多少?
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首先,謝謝各位在此積極的討論.
我目前做到的是90%,再提升一個點都非常困難,很郁悶.很早以前我就看見一款國外的電源,是48V輸出,在60V30A時的效率是94%,采用的是LLC諧振,但是把LLC的方式移植到本電路,效率也不高.
另外:有一個問題請教各位:
1:在同等的輸出條件下(假設輸出30V150A),是硬開關、變壓器做開環輸出的效率高還是LLC諧振閉環的效率高?
2:在同等的輸出條件下(假設輸出30V150A),是硬開關、變壓器閉環的效率高還是用傳統的相移電路閉環的效率高?
本人認為:變壓器開環硬開關的條件下,雖然開關管在開關時刻有相當部分的損耗,但是變壓器的損耗非常小,LLC諧振電路其特點就是主開關工作在電流續流時開通,降低了開關損耗,然而,帶來的主管導通損耗和輸出整流二極管的導通損耗也非常可觀,尤其是低壓大電流.
硬開關閉環和移相閉環相比,在占空比上,硬開關站有優勢,而移相電路由于原邊諧振電感的存在,有相當部分損失,限制了其效率的進一步提升,
歡迎各位批評指正!
我目前做到的是90%,再提升一個點都非常困難,很郁悶.很早以前我就看見一款國外的電源,是48V輸出,在60V30A時的效率是94%,采用的是LLC諧振,但是把LLC的方式移植到本電路,效率也不高.
另外:有一個問題請教各位:
1:在同等的輸出條件下(假設輸出30V150A),是硬開關、變壓器做開環輸出的效率高還是LLC諧振閉環的效率高?
2:在同等的輸出條件下(假設輸出30V150A),是硬開關、變壓器閉環的效率高還是用傳統的相移電路閉環的效率高?
本人認為:變壓器開環硬開關的條件下,雖然開關管在開關時刻有相當部分的損耗,但是變壓器的損耗非常小,LLC諧振電路其特點就是主開關工作在電流續流時開通,降低了開關損耗,然而,帶來的主管導通損耗和輸出整流二極管的導通損耗也非常可觀,尤其是低壓大電流.
硬開關閉環和移相閉環相比,在占空比上,硬開關站有優勢,而移相電路由于原邊諧振電感的存在,有相當部分損失,限制了其效率的進一步提升,
歡迎各位批評指正!
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@lizimo2006
首先,謝謝各位在此積極的討論.我目前做到的是90%,再提升一個點都非常困難,很郁悶.很早以前我就看見一款國外的電源,是48V輸出,在60V30A時的效率是94%,采用的是LLC諧振,但是把LLC的方式移植到本電路,效率也不高. 另外:有一個問題請教各位: 1:在同等的輸出條件下(假設輸出30V150A),是硬開關、變壓器做開環輸出的效率高還是LLC諧振閉環的效率高? 2:在同等的輸出條件下(假設輸出30V150A),是硬開關、變壓器閉環的效率高還是用傳統的相移電路閉環的效率高? 本人認為:變壓器開環硬開關的條件下,雖然開關管在開關時刻有相當部分的損耗,但是變壓器的損耗非常小,LLC諧振電路其特點就是主開關工作在電流續流時開通,降低了開關損耗,然而,帶來的主管導通損耗和輸出整流二極管的導通損耗也非常可觀,尤其是低壓大電流. 硬開關閉環和移相閉環相比,在占空比上,硬開關站有優勢,而移相電路由于原邊諧振電感的存在,有相當部分損失,限制了其效率的進一步提升, 歡迎各位批評指正!
你的分析非常正確.
97%的有人發布過產品.
在軟開關的情況下,磁芯損耗確實較大,在軟開關情況下開關管的損耗很小,所以問題的重點是如何解決在軟開關下的磁芯損耗.
97%的有人發布過產品.
在軟開關的情況下,磁芯損耗確實較大,在軟開關情況下開關管的損耗很小,所以問題的重點是如何解決在軟開關下的磁芯損耗.
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@lizimo2006
首先,謝謝各位在此積極的討論.我目前做到的是90%,再提升一個點都非常困難,很郁悶.很早以前我就看見一款國外的電源,是48V輸出,在60V30A時的效率是94%,采用的是LLC諧振,但是把LLC的方式移植到本電路,效率也不高. 另外:有一個問題請教各位: 1:在同等的輸出條件下(假設輸出30V150A),是硬開關、變壓器做開環輸出的效率高還是LLC諧振閉環的效率高? 2:在同等的輸出條件下(假設輸出30V150A),是硬開關、變壓器閉環的效率高還是用傳統的相移電路閉環的效率高? 本人認為:變壓器開環硬開關的條件下,雖然開關管在開關時刻有相當部分的損耗,但是變壓器的損耗非常小,LLC諧振電路其特點就是主開關工作在電流續流時開通,降低了開關損耗,然而,帶來的主管導通損耗和輸出整流二極管的導通損耗也非常可觀,尤其是低壓大電流. 硬開關閉環和移相閉環相比,在占空比上,硬開關站有優勢,而移相電路由于原邊諧振電感的存在,有相當部分損失,限制了其效率的進一步提升, 歡迎各位批評指正!
我給你一個拓撲,效率可以做的高一些.
交錯并聯雙管正激.MOS.
如果想再好點的話,用IGBT.交錯并聯雙管正激,加零壓關斷無源軟吸收.
不特別設計,效率應該可以提高2%.
交錯并聯雙管正激.MOS.
如果想再好點的話,用IGBT.交錯并聯雙管正激,加零壓關斷無源軟吸收.
不特別設計,效率應該可以提高2%.
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