初次聽到寬禁帶還是很陌生的，不知道是哪類產品，相信很多電源網的用戶都一樣，下面一張圖分享給大家來清晰講下這里半導體。

半導體的禁帶寬度介于導體和絕緣體之間。寬禁帶半導體就是禁帶寬度大于傳統半導體的一種半導體材料，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。

作為第三代半導體材料，寬禁帶半導體相比于傳統半導體材料都有哪些優勢呢？

SiC和GaN具有更寬的禁帶寬度，從而使其擁有更高的擊穿電場強度，此外寬禁帶半導體材料碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）相較于傳統的半導體材料硅（Si）擁有更高的臨界電場強度、更高的熱導率和更大的飽和電子漂移速率，材料性能可以說是單方面碾壓傳統半導體材料硅（Si）。寬禁帶半導體材料的這些優異性能，使得利用寬禁帶半導體材料制作的半導體功率器件更能滿足現代工業對于高功率、高電壓、高頻率、小體積的需求。

目前PI寬禁帶產品有很多，技術很成熟了。GaN具有很多優勢，導通損耗小，效率高，功率密度高，基本無需散熱，PI的GaN也有正壓驅動產品，控制變簡單了。PI產品可靠性很高，市場應用比較廣泛。