我的在低端90V輸入時,效率只有86.5%,整機效率只有76.3%.PFC部分的測試數據如下表.各位高手給點意見,請不吝賜教,謝謝!

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效率挺高的,請問你用什么拓撲,什么控制芯片做的

我用的是NCP1653.

變壓器參數? F?

上面那組數據由于輸入回路串有熱敏電阻(后級沒工作,所以繼電器沒有吸合),下面這組數據是將熱敏電阻短路測得的.
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頻率67KHz.電感48Ts,560uH.調整過匝數和電感量,但好像對效率沒什么影響.

沒圖怎么看呢?

你這pfc是芯片內部調整?有沒有1653 datasheet,發上來,

這效率可以,我們用4981也差不多.

不至於吧,90v輸入500w輸出,如果材料選用合適應該要有92%以上有效率.

請高手賜教,該主要從哪幾方面著手?

比芯片數據表所提供的低了好多.

請高手指點.我MOS用兩顆460并聯,分別增加了圖騰柱推動.上升沿為330ns,NCP1653A芯片頻率67kHz.PF電感用ETD44(PC40).

我不是高手,之前我也想用這棵芯片來做一個電源.按你現在情況應先測下電感是否已飽和.

還有分析下主要損耗在那個地方?是開關管還是變壓器?

還有低壓時光整流橋損耗也近10W了.

沒有看到電路圖,猜想而已~
不知道您APFC的輔助供電線路在90V低壓時是否足夠屏蔽掉啟動供電電路?
我以前做過的一款PFC就出現過低壓時一直由啟動供電線路供電,大部分能量消耗在分壓電阻上了.
另外如果需要兩個460并聯的話是否可考慮用單個32N50?省掉的一半圖騰驅動電路及460也應該差不多能抵掉32N50多出的成本.而這樣對效率及穩定性提高應該還是有幫助的.

謝謝的分析和建議.供電電壓我有測過的,輸入在90-260之間變化時,輔助供電在14.7V至15.3V范圍.不過我沒有加關斷電路,也就是說啟動供電電路一直在線,所以還沒有分析這條線路引入損耗究竟有多大.
    另外,你說的用32N50取代兩個460,我在調試的時候也有試過,用的是英飛凌的32N50,效率確實不比兩顆460差,但單顆MOS的散熱效果好像要差一些,結溫較高.

謝謝!開關管的損耗我想已經差不多了,無非就是Rdson的大小及前后沿的損耗.但PF電感上的損耗我沒有太多的研究,只是從匝數和感量上做過簡單調整.不知道用鐵硅鋁的環對效率的影響怎么樣?

泵升模式是以時間換取電壓,即使管子無耗,效率也低于降壓式的.

看了樓上的低端90V輸入時,效率只有86.5%,認為是有點偏低的,應該可以做到至少88%左右吧?
   樓上的可以換下PFC的二極管為SIC 碳化硅材質的再看下可以提升多少!
   同時改善下PFC開關管驅動波形的前后沿,應該會有不少改善的.

匝比多少?

謝謝!86.5%是輸入端的熱敏電阻沒有短接時的效率,短接后數據見我貼出第二個表格.可以達到88.5%.但這個效率我覺得還低了點,因為要考慮整機的效率.
你說的SIC 碳化硅材質的二極管可否推薦一個具體型號,謝謝!驅動的前后沿在分別為330ns和300ns.應該差不多了.

貼波形上來瞧瞧~~~~另外,你的電感量在不飽和的情況下可以大點~~~~因為開通損耗,Pr=I^2*Rds,感量大,峰值電流就會小點~~~不過,最好還是把你的波形及圖貼上來~~~~~~~~沒這兩樣,大家只能猜測~~~~~~無法具體判斷!

謝謝指點!
驅動波形(手機拍的,不是很清楚):
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上升沿:
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下降沿:
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你的下降沿有點問題喲~~~~!一般下降沿應該比上升沿時間短才對!有沒有在開關管G極與IC驅動腳之間反并二極管?還有中間的電阻是多大的?能把原理圖貼上來不?

不好意思,原圖在設計時沒有加驅動.在調試時發現驅動不足,所以另外搭了小電路來驅動.NCP1653的DATASHEET上面標明是驅動電流為+/-1.5A,我覺得足夠了,可實際測試才發現不是那么回事,呵呵.
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/70/30591223890212.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

高手談不上,只是曾經接觸過,我想你可以從你的驅動--要夠快,在mos柵極可以加PNP晶體管做快速放電,開關mos--RDS要小,和升壓二極管恢復時間一定要快.選擇等方面來考慮提升效率.熱敏電阻消耗的功率也很可觀--可以放在二極管之后.電感可以適當把感量做做調整.

不建議用1653芯片理由如下:動態響應慢,上升時間長,抗干擾能力弱(跟其他家類似芯片比).

R上應該要反并二極管~~~~~加速關斷~~~把關斷損耗降下來!

謝謝!因為我的驅動電阻很小(4.7R),所以反并二極管的效果并不明顯,加上二極管后,下降沿是可以再減小幾十ns,但從測測試數據來看,似乎沒有什么影響.我想從MOS管方面著手的空間已經很小了.不知道從其它方面有什么高見?

效率是太低了.至少要在92%才是正常的.