上管選擇MOSFET采用電容驅動方式，GDR1的驅動電壓比VCV1高5V，GDR2的驅動電壓比VCV2高5V。
電容驅動方式得益于使用電容CDR進行的輕松電平轉換。當其中一個開關長時間處于導通狀態時，需要一個正常刷新周期以使CDR充滿電荷，否則CDR上的電荷會緩慢泄漏。啟動期間也需要刷新，以使CDR在上拉輸出時跟隨輸出電壓。必要時，控制器將關斷選擇MOSFET，然后再導通，以執行刷新周期。
CDR的最佳電容值取決于選擇MOSFET的柵極電荷。 柵極電荷（在5 V柵極電壓下）必須比CDR電容中的電荷小得多。 CDR電容的典型值為100nF。 CDR電容值較大時，刷新時間可能不足，并且在啟動期間電容將無法跟隨輸出。因此，必須為選擇MOSFET選擇低柵極電荷器件，以盡量減小所需的CDR電容值以及降低驅動MOSFET的能耗。
