按照正激變壓器設計

太浪費了,MOS的還是BJT的,MOS的雙管正激至少300K啊

85~230V AC全電壓輸入用臨界模式雙管反激比較好(L6561)

或者帶PFC的雙管正激、半橋

如果硬要正激也可以,只能按85V的設計,85V整流以后120V,
占空比最大45%,初次級比120*0.45/36=1.5
只好初級15,次級11或12?這樣做效率很低的.

全電壓范圍的話,用雙管正激不是太好啊

各位不好意思,是雙管反激

都不好,雙正、反激都不好;正激:電壓范圍太寬,反激,變壓器太大了、而且反激一半150W以下!這是穩妥做法.既然是雙管,何不用半橋!做起來變壓器及各方面可以省不少成本!

鄙人覺得方案欠妥.
雙管正激是可以做到的.最好前面加PFC,按照正激去設計.但是你的頻率有點低,浪費.
雙管反激嘛,變壓器有點大.
半橋就很簡單了.

雙管反激,為什么變壓器有點大,如果做半橋,有沒有好的方案推薦一下

雙管反激的變壓器只能工作在磁滯回線的第一象限,即磁感應強度是從0變化到Bmax;而半橋的變壓器可工作在磁滯回線的第一、三象限,即磁感應強度是從-Bmax變化到Bmax;故從理論上來說,相同的條件下,半橋可提供的功率應該是雙管反激的2倍;但考慮到半橋的磁芯損耗即鐵損的影響,實際可以提供的功率達不到2倍.
雙管反激一般用在輸入電壓比較高的場合,優勢是可以使每個開關管所承受的電壓等于初級的母線直流電壓.至于功率一般做500W以下,我自己用雙管反激做過400W,太大不建議做,因為初級的電感量太小,不太好控制!
以上是我的個人意見,供參考!

謝謝,雙管反激它的效率怎么樣

效率跟單端反激差不多,具體要看你怎么設計電路與元件的選取了,只是成本比單管反激略高!但比半橋的成本低些!

高頻下雙管反激效率還是比單管反激高的,管子也不容易壞,因為沒有漏感尖峰.
高壓下雙管反激拓撲可以做500K沒問題

變壓器的設計與單端反激一樣,反射電壓不要超過電源最低輸入電壓,也就是占空比要小于0.5.效率比單端反激要高一些,因為開關管吸改回路損失較小,我的24V、9A電源,效率0.89,輸入300V~400VDC.

能不能幫我設計一下這款變壓器,初級電感量不知取多少合適,輸入380V(PFC電壓).1、初級電感量200UH,反射電壓120V,效率怎么只有0.80.2、初級電感量330UH,反射電壓72V,效率怎么只有0.76.
各位,能不能幫忙設計一下

用半橋做好點

你測出的效率是否含PFC部分?將圖呈出看看.我算出差不多,120V反射電壓,285UH電感量.但占空比只有0.25.效率與很多因素有關,特別是開關變壓器的繞法.

如果是雙管反激電路,不用考慮MOSFET管的耐壓,建議反射電壓選300V,初級電感量947uH,最大占空比0.45.占空比大,效率會高些.

請教各位DX一下,反激的變壓器在設計好后,它的初級電感不就定下來了嗎,一般說增加電感量或減小電感量,初級電感Lp=Vimin*Dmax/Ip*f是調整Dmax還是改變f做到的?剛學的,有點不明白...

這么高的頻率,EMC怎么過

頻率高,EMC不好過

兄臺,按照你的建議做了一個變壓器中,效率最高只有0.84,變壓器溫度100℃,MOS管60℃.
不知你的24V 9A,0.89的效率是怎么做的,能不能把變壓器參數貼出來,參考一下

變壓器的溫度如果降下至60度,效率也就上來了.請將變壓器的截面積給出,我給你算出電感與匝數與變比,一定能解決.

變壓器是EC40,Ae是121 mm的平方.請兄臺幫忙設計下.

我計算的數據:變壓器的Bmax=250mT,初級電感量966uH,最大占空比0.45,初級峰值電流2.6A,初級83匝,次級10匝,3844供電4匝,氣隙約1mm.建議采用三明治繞法減小漏感,開關管兩只要采用相同批次的管配對.初級線直徑大于0.4mm,次級線采用10根0.4并繞.
有結果告知一聲.

贊同

renad兄,首先謝謝.昨天已按你給的參數打樣,有結果會告之.
另外在書中有提到雙管反激應使“鉗位電壓低于電源輸入電壓”.這里的“鉗位電壓”指的是什么電壓.

我理解應是所謂反射電壓.低于電源輸入最低就好,否則開關管截止時能量會回送大部分給電源輸入部分.
你研發環境不錯,做板的變壓器還可以打樣,我們只能先自已繞啊,半天才能做一個.

如果照renad兄所說,那么書中在同一段話中有提到“反射電壓”,又提“鉗位電壓”,作者的用意何在.

Vcc可以從主變壓器取嗎,我的不可以,Vcc沒輸出.
最后Vcc只能從PFC取.

這方面的書看的少,能否掃描幾單與在下看看.