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求助:LLC同步整流MOS管發(fā)燙

求助:LLC同步整流MOS管發(fā)燙

同步整流MOS的驅(qū)動是給足了的,只留了200ns的死區(qū)時間,為啥MOS管還是很燙呢,溫升到70多度了。。

驅(qū)動信號是在原邊驅(qū)動信號的基礎(chǔ)上生成的,有FPGA給出,從時序上看,是覆蓋了MOS管的開通時間的。

請各位大俠幫忙看看怎么減小這個溫升?

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其樂518
LV.2
2
2019-09-17 14:15
搶沙發(fā),,是不是Rds太大了呀
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Lam小黑
LV.3
3
2019-09-17 14:29
這樣大師們都很難猜測的。你測出各個點的波形出來才好分析。
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ghsdwf
LV.6
4
2019-09-17 20:22
如果原邊開關(guān)頻率低于諧振頻率,同步整流覆蓋原邊MOS開通時間是不行的。
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Lam小黑
LV.3
5
2019-09-18 08:56
@ghsdwf
如果原邊開關(guān)頻率低于諧振頻率,同步整流覆蓋原邊MOS開通時間是不行的。
那應(yīng)該沒有工作在ZCS,ZVS狀態(tài)呀。原邊的MOS也會發(fā)燙的很厲害吧!
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Jery2019
LV.2
6
2019-09-18 11:19
@其樂518
搶沙發(fā),,是不是Rds太大了呀
RDS不大,2.4毫歐呢
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Jery2019
LV.2
7
2019-09-18 11:22
@Lam小黑
那應(yīng)該沒有工作在ZCS,ZVS狀態(tài)呀。原邊的MOS也會發(fā)燙的很厲害吧!
ZVS是實現(xiàn)了的,ZCS沒有實現(xiàn),由于開關(guān)頻率大于諧振頻率,另外受SR-MOS驅(qū)動信號和死區(qū)時間的影響,SR-MOS開啟和關(guān)閉的時候,都還有電流。
0
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Jery2019
LV.2
8
2019-09-18 11:23
@Lam小黑
那應(yīng)該沒有工作在ZCS,ZVS狀態(tài)呀。原邊的MOS也會發(fā)燙的很厲害吧!
ZVS是實現(xiàn)了的,ZCS沒有實現(xiàn)
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Jery2019
LV.2
9
2019-09-18 11:24
@ghsdwf
如果原邊開關(guān)頻率低于諧振頻率,同步整流覆蓋原邊MOS開通時間是不行的。
由于是數(shù)字控制,且現(xiàn)在是開環(huán)定頻調(diào)試,開通時刻都是先測好了的,開通時間是剛剛好覆蓋到MOS的體二極管開通時間的。
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Lam小黑
LV.3
10
2019-09-18 11:29
@Jery2019
ZVS是實現(xiàn)了的,ZCS沒有實現(xiàn)
上面那個團長不是說開關(guān)頻率小于諧振頻率嗎?
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Jery2019
LV.2
11
2019-09-18 11:40
@Lam小黑
這樣大師們都很難猜測的。你測出各個點的波形出來才好分析。

上圖是SR-MOS管的驅(qū)動信號,可以看到,上下MOS管之間僅留了一個死區(qū)時間。

上圖是上SR-MOS管的驅(qū)動信號(藍色)和MOS管兩端電壓。可以看到,驅(qū)動信號幾乎是完全覆蓋了MOS管的開通時間了的。

SR-MOS管的熱阻RJA是62°C/W,是不是上升62都以內(nèi)的就是正常的了?

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Jery2019
LV.2
12
2019-09-18 11:46
@Lam小黑
上面那個團長不是說開關(guān)頻率小于諧振頻率嗎?
他說的應(yīng)該是假設(shè)吧,我的LLC電路是開關(guān)頻率大于諧振頻率的。
0
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Lam小黑
LV.3
13
2019-09-18 12:35
@Jery2019
[圖片]上圖是SR-MOS管的驅(qū)動信號,可以看到,上下MOS管之間僅留了一個死區(qū)時間。[圖片]上圖是上SR-MOS管的驅(qū)動信號(藍色)和MOS管兩端電壓。可以看到,驅(qū)動信號幾乎是完全覆蓋了MOS管的開通時間了的。SR-MOS管的熱阻RJA是62°C/W,是不是上升62都以內(nèi)的就是正常的了?
上升62度,表示MOS的功耗=1W
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wrtiger88
LV.1
14
2019-09-18 21:13

1 增加rds電阻功率

2 降低頻率試試

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wrtiger88
LV.1
15
2019-09-18 22:47
看波形 關(guān)斷時還有電流經(jīng)過
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Lam小黑
LV.3
16
2019-09-19 08:52
@wrtiger88
1增加rds電阻功率2降低頻率試試
請教增加rds電阻功率是什么意思?
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ghsdwf
LV.6
17
2019-09-19 14:00
@Jery2019
[圖片]上圖是SR-MOS管的驅(qū)動信號,可以看到,上下MOS管之間僅留了一個死區(qū)時間。[圖片]上圖是上SR-MOS管的驅(qū)動信號(藍色)和MOS管兩端電壓。可以看到,驅(qū)動信號幾乎是完全覆蓋了MOS管的開通時間了的。SR-MOS管的熱阻RJA是62°C/W,是不是上升62都以內(nèi)的就是正常的了?

看你的SR驅(qū)動電壓不到5V,確定要這么低?VGS低的話Rdson會高的,上升沿也慢

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Jery2019
LV.2
18
2019-09-19 15:01
@wrtiger88
看波形關(guān)斷時還有電流經(jīng)過
是的,為了留足死區(qū)時間,關(guān)斷和開通時,總會有一點覆蓋不到的,CCM模式下,這個貌似沒有好辦法。
1
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Jery2019
LV.2
19
2019-09-19 15:19
@Lam小黑
上升62度,表示MOS的功耗=1W
同步整流的溫升一般在多少算是正常的呢?我這個SR-MOS管,1W的功耗就要上升62度,感覺有點接受不了。難道一般同步整流都能做到零點幾的功耗嗎?
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Jery2019
LV.2
20
2019-09-25 14:31
@ghsdwf
看你的SR驅(qū)動電壓不到5V,確定要這么低?VGS低的話Rdson會高的,上升沿也慢
我的MOS管是低壓VGSth的,1~2.5V,5V應(yīng)該足夠了吧? 
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Lam小黑
LV.3
21
2019-09-25 14:54
@Jery2019
我的MOS管是低壓VGSth的,1~2.5V,5V應(yīng)該足夠了吧? 
看你MOS的規(guī)格書就知道了。
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