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我們的實(shí)驗(yàn)條件比較差,沒有電流探頭,只能用電流互感器間接測(cè)量了.

謝謝您的回復(fù)。現(xiàn)在負(fù)載確實(shí)很輕，但是負(fù)載越重，電流越大，振蕩也就隨之更加劇烈呢。

自己頂一下。請(qǐng)各位前輩幫忙看看，小弟先謝謝了！

謝謝回復(fù)。我目前管子的參數(shù)感覺還可以，數(shù)據(jù)手冊(cè)如下：同步整流MOS管如果換管子的話主要是改進(jìn)什么參數(shù)呢？

抱歉，問題沒有解決，這個(gè)項(xiàng)目也暫時(shí)擱置了。。。

老板直接定的，不能做這么高嗎？

好的，謝謝你的建議，我下來(lái)試試。

謝謝您的回復(fù)。那PSIM能仿真出這種現(xiàn)象不？我現(xiàn)在的仿真就是輕載的時(shí)候都很好的實(shí)現(xiàn)了軟開關(guān)，與實(shí)際的不一致。怎么建模仿真才能仿真出輕載有硬開關(guān)的現(xiàn)象呢？

哦，好的，我下來(lái)降頻試試。打算工作在CCM模式。

對(duì)，從仿真上看電流反向了，電容反向充電了。減小死區(qū)時(shí)間可以解決這個(gè)問題，但死區(qū)時(shí)間不能無(wú)限小，受到MOS器件參數(shù)的限制。