沒有用到TO247的IGBT，只用了IGBT模塊。

大致是這樣的情況，電壓較高，600V,900V，電流超過50A以后，MOSFET的優(yōu)勢就不明顯了。

Rdson對應的電流產(chǎn)生的壓降會線性增加，但是IGBT的VCE基本就是1-2V左右。

TO-247的封裝對應的散熱面積較小。MOSFET的模塊比較少見，IGBT的模塊比較多，散熱面積大，結(jié)構(gòu)上稍微好處理些。

講的對！

MOSFET是導通電阻

IGBT是導通電壓

兩者功耗就看應用的電流大小了。

開關速度也不一樣，MOSFET的快

IGBT關斷時有拖尾！

你好，我可以這樣理解么，我們拿600V為例，MOSFET是電流的平方乘以Rdson為導通的損耗，IGBT是電流乘以Vce是導通損耗，最終就要評估兩者的總損耗，包括開關損耗等，加起來，再根據(jù)各自的封裝，看能否達到散熱要求，是否需要用散熱器等等，最終評估成本，選擇MOS還是IGBT。有一點，如果選用MOS，我的頻率可以做高，磁性原件就可以小，成本可以減，反之，IGBT不行嘍。

以上理解，請多分析，謝謝

樓主是想干什么呢

嗯，磁性原件的損耗跟B值，頻率，體積有關，溫升跟周圍的整機溫度也關聯(lián)，太糾結(jié)了。

最近做些大功率的產(chǎn)品，很多都用IGBT的，我以前都是用MOS比較多，頻率都是幾百K的，突然要用IGBT，好迷茫。

請指教啊

電路拓撲是相通的，沒什么好迷茫的。公式變化也不大，無非是修改些理論上的一些校正值。

頻率低了，更多的是要考慮散熱問題。有人指導還好，如果沒人指導，估計要交不少的學費的。

IGBT比MOS管的壓降要小很多？可以替代MOS管？

以低壓內(nèi)阻1mR的mos管為例，

電流100A時，mos管壓降0.1V，IGBT壓降2V

電流10A時，MOS管壓降0.01V，IGBT壓降2V

電流1A時，MOS管壓降0.001V,IGBT壓降2V

到底哪個能打？

到底哪個壓降要低？

IGBT總在耐壓高的地方，mosfet總在低壓的地方，

2V/2mR=1000A

所以在1000A以下，感覺低壓還是mosfet的天下吧?

有道理