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請教TO220封裝MOS最大電流

最近要做低電壓,大電流的DC-DC(同步整流),輸入要20V,40A。所以找了一下額定是80A的MOS。

找下來發現即滿足要求又Qg小的管子都是TO220封裝的,大點封裝的(比如TO247)的Qg都好大,接近100nC。

感覺TO220的腿太細,上40A的電流感覺有點虛,但是管子說明書上卻說能過80A的電流。

想請教各位大神在實踐中有用過TO220封裝的管子走40A的電流嗎?加大的散熱器嗎?

另外為什么TO247的管子Qg都好大,跪求各位大神指點。

PS:找到一個稍微大點的,TO251封裝的(STU95NN3LLH6),但是感覺還是比TO247小。

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pangjihao
LV.10
2
2014-09-18 09:37
同步整流的MOS管選擇三個重點:1,耐壓要足夠,2導通電阻要低,3結電容要小.NCE30H21是個不錯的選擇,30V,1.5mR的導通電阻,,結電容我沒有看.
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2014-09-18 10:44
@pangjihao
同步整流的MOS管選擇三個重點:1,耐壓要足夠,2導通電阻要低,3結電容要小.NCE30H21是個不錯的選擇,30V,1.5mR的導通電阻,,結電容我沒有看.

兄弟,看了下,電流210A,有點逆天,Qg有210nC,感覺還是有點大的。

兄弟,這管子你用過沒?實測最大電流試過多少A?

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sunsigns
LV.5
4
2014-09-18 16:07

1、251相當于立式的252,肯定比220、247的小;

2、你的要求沒太多應用細節,但粗略看252封裝都可以滿足了;

3、當然,不太計較價格的話,用DFN封裝散熱表現會好些;

4、Qg和封裝形式是無關的,30V80A低于100nC的管有很多選擇。

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2014-09-18 16:40

600V的話20A就差不多了吧,大過20A我一般用247了

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sunsigns
LV.5
6
2014-09-18 16:46
@萬正芯源
600V的話20A就差不多了吧,大過20A我一般用247了
兄弟,看清楚了,是30V!
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sunsigns
LV.5
7
2014-09-18 16:52
@sunsigns
1、251相當于立式的252,肯定比220、247的小;2、你的要求沒太多應用細節,但粗略看252封裝都可以滿足了;3、當然,不太計較價格的話,用DFN封裝散熱表現會好些;4、Qg和封裝形式是無關的,30V80A低于100nC的管有很多選擇。

過電流的能力主要瓶頸不在管腳粗細,而主要在芯片打線的條數和工藝

推薦個我們公司的SD4836,PDFN或TO252

4836_PDFN_產品說明書.pdf

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2014-09-18 21:11
@sunsigns
1、251相當于立式的252,肯定比220、247的小;2、你的要求沒太多應用細節,但粗略看252封裝都可以滿足了;3、當然,不太計較價格的話,用DFN封裝散熱表現會好些;4、Qg和封裝形式是無關的,30V80A低于100nC的管有很多選擇。

1.TO252是立式的嗎?我看這個datasheet里面顯示的是貼片式的。

2.252封裝可以嗎?還沒TO220的封裝大,感覺還不如直接上TO220的封裝,這樣感覺散熱好一點。我今天TO247封裝的管子,上30A的電流,就將近100℃了,有點怕。(散熱片是那種簡單的單個管子那種)

3. DFN封裝是貼片式的?很8個腳的那種,感覺像芯片的那種嗎?

4. 求大神推薦個30V80A,TO247封裝的芯片哈

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pangjihao
LV.10
9
2014-09-19 08:22
@zc437041363
兄弟,看了下,電流210A,有點逆天,Qg有210nC,感覺還是有點大的。兄弟,這管子你用過沒?實測最大電流試過多少A?
不要被電流騙了你,那個電流是在理想的情況下測試的.
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ta7698
LV.9
10
2014-09-19 08:59
一般情況下管子引腳不用考慮電流密度問題。
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2014-09-19 09:09

TO-220封裝太小了。。。。  40A啊。。。

10A以下差不多。。

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sunsigns
LV.5
12
2014-09-19 13:19
@zc437041363
[圖片]1.TO252是立式的嗎?我看這個datasheet里面顯示的是貼片式的。2.252封裝可以嗎?還沒TO220的封裝大,感覺還不如直接上TO220的封裝,這樣感覺散熱好一點。我今天TO247封裝的管子,上30A的電流,就將近100℃了,有點怕。(散熱片是那種簡單的單個管子那種)3.DFN封裝是貼片式的?很8個腳的那種,感覺像芯片的那種嗎?4.求大神推薦個30V80A,TO247封裝的芯片哈

1、我的原句:251相當于立式的252。沒說252是立式。

2、我不知你現在用的TO247的管子的具體型號,但按一般市場的估計,30V耐壓封247的管子,應該是追求低Rdson而忽略Qg的低頻應用管,實測溫升高,有可能是開關損耗大了。不能排除你用稍高Rdson低Qg的MOS沒這么大溫升的可能性。

3、我貼的datasheet就是PDFN封裝的,里面有尺寸。

4、上面說了,30V這個電流檔的管子很少封247(因為不需要)。讓我推薦,若你的用量足夠大,我幫你用SD4836的芯片封成TO247。

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zc437041363
LV.3
13
2014-09-19 16:40
@賀赫無名
TO-220封裝太小了。。。。 40A啊。。。10A以下差不多。。
我也覺得,可惜就是找不到TO247的大電流的MOS(Qg小于50nC的)
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gnaijnaoul
LV.6
14
2014-09-19 21:21
@zc437041363
我也覺得,可惜就是找不到TO247的大電流的MOS(Qg小于50nC的)

TO220的最大電流被封裝限制在75A,很多數據手冊上都有說明!

TO252的最大電流被封裝限制在30A!

TO220的封裝短時間工作零點幾秒到50A是沒問題的,長時間最好不要超過25A了,即使散熱條件很好!

這是我的看法!

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zc437041363
LV.3
15
2014-09-19 23:22
@sunsigns
1、我的原句:251相當于立式的252。沒說252是立式。2、我不知你現在用的TO247的管子的具體型號,但按一般市場的估計,30V耐壓封247的管子,應該是追求低Rdson而忽略Qg的低頻應用管,實測溫升高,有可能是開關損耗大了。不能排除你用稍高Rdson低Qg的MOS沒這么大溫升的可能性。3、我貼的datasheet就是PDFN封裝的,里面有尺寸。4、上面說了,30V這個電流檔的管子很少封247(因為不需要)。讓我推薦,若你的用量足夠大,我幫你用SD4836的芯片封成TO247。[圖片]
聽你的解釋,感覺很有道理。2. 我用的247的管子型號是FS50SM-3,看了下內阻有31mΩ,感覺好大。Qg也要120nC(10V,Vgs)。突然想到會不會升高Vgs,會提高開關管的開關能力(比如流過的電流Ids增大)?

3. 4. 我這個不是批量生產的,所以用不了哈~今天又試了一個TO220的管子(IPP065N04N),加上散熱片(100X30X15),結果沒開一會管子直接掛了(估計最大電流在18A左右)。看了TO220的管子不太行,準備買TO247的管子了(雖然溫升高,起碼沒壞),挑一個Rds低的。

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zc437041363
LV.3
16
2014-09-19 23:23
@gnaijnaoul
TO220的最大電流被封裝限制在75A,很多數據手冊上都有說明!TO252的最大電流被封裝限制在30A!TO220的封裝短時間工作零點幾秒到50A是沒問題的,長時間最好不要超過25A了,即使散熱條件很好!這是我的看法!
恩,我贊同您的觀點。我今天試了一個TO220封裝的管子(IPP065N04N),加上散熱片(100X30X15),結果沒開一會管子直接掛了(估計最大電流在18A左右)。看了TO220的管子不太行,準備買TO247的管子了(雖然溫升高,起碼沒壞),挑一個Rds低的。
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zc437041363
LV.3
17
2014-09-19 23:23
@賀赫無名
TO-220封裝太小了。。。。 40A啊。。。10A以下差不多。。
恩。我今天試了一個TO220封裝的管子(IPP065N04N),加上散熱片(100X30X15),結果沒開一會管子直接掛了(估計最大電流在18A左右)。看了TO220的管子不太行,準備買TO247的管子了(雖然溫升高,起碼沒壞),挑一個Rds低的。
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zc437041363
LV.3
18
2014-09-19 23:24
@ta7698
一般情況下管子引腳不用考慮電流密度問題。
我今天試了一個TO220封裝的管子(IPP065N04N),加上散熱片(100X30X15),結果沒開一會管子直接掛了(估計最大電流在18A左右)。看了TO220的管子不太行,準備買TO247的管子了(雖然溫升高,起碼沒壞),挑一個Rds低的。
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2014-09-20 16:15
@gnaijnaoul
TO220的最大電流被封裝限制在75A,很多數據手冊上都有說明!TO252的最大電流被封裝限制在30A!TO220的封裝短時間工作零點幾秒到50A是沒問題的,長時間最好不要超過25A了,即使散熱條件很好!這是我的看法!

補充一下: 14樓所說的這些,都是在開關狀態下而言。

如果是放大狀態,如做電子負載多個管子并聯使用時,即使你的散熱片的條件是足夠的,

但通過MOS的電流要大打折扣。

如IRF3205 是55V 8mohm  69A@100度的管子,例如用在100A/12V大流電電子負載時(一般電池設備上用),這個電流須用多個管子并聯后加散熱片使用,一般考慮到管子的均流問題,每個MOS管的設計是5A,也是就要20個MOS來完成。。。

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Q403920015
LV.6
20
2014-09-28 16:25
@zc437041363
恩。我今天試了一個TO220封裝的管子(IPP065N04N),加上散熱片(100X30X15),結果沒開一會管子直接掛了(估計最大電流在18A左右)。看了TO220的管子不太行,準備買TO247的管子了(雖然溫升高,起碼沒壞),挑一個Rds低的。

內阻太大了吧..你選個IPP015N04NG試下 1.5mR 

貼片的再看下BSC018N04LSG  內阻 1.8mR

 Gate charge total  Qg VDD=20 V, ID=30 A,VGS=0 to 4.5 V  54 72 nC

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sunsigns
LV.5
21
2014-09-28 16:40
@zc437041363
聽你的解釋,感覺很有道理。2.我用的247的管子型號是FS50SM-3,看了下內阻有31mΩ,感覺好大。Qg也要120nC(10V,Vgs)。突然想到會不會升高Vgs,會提高開關管的開關能力(比如流過的電流Ids增大)?[圖片]3.4.我這個不是批量生產的,所以用不了哈~今天又試了一個TO220的管子(IPP065N04N),加上散熱片(100X30X15),結果沒開一會管子直接掛了(估計最大電流在18A左右)。看了TO220的管子不太行,準備買TO247的管子了(雖然溫升高,起碼沒壞),挑一個Rds低的。

只看到你說同步整流,不知你在選ControlFET,還是SyncFET

不知你是升壓,還是降壓

不知你用的驅動形式

我們能做的,也只是在瞎猜一下

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