如題，如果大家和我一樣當(dāng)初沒(méi)有想到這個(gè)問(wèn)題，我后續(xù)會(huì)加以說(shuō)明
如圖，這個(gè)電路用來(lái)控制電源的總開(kāi)關(guān)，其中VBAT是12V鉛酸電池，EN和ON/OFF都連接到MCU的I/O口，MCU的供電也來(lái)自LOAD的輸出。
原理很簡(jiǎn)單，按下EN鍵，LOAD處得到供電，MCU也得到供電，同時(shí)MCU判斷ON/OFF被拉低，MCU將EN拉高，那么松開(kāi)按鍵后，供電將一直維持。再次按下EN鍵，ON/OFF被拉低，MCU將EN置低，松開(kāi)按鍵后，MCU得不到供電，LOAD處斷電。
上面的電路，并非我自己設(shè)計(jì)，不過(guò)是照搬別人的，上面的描述，也看似沒(méi)有問(wèn)題，但是問(wèn)題確實(shí)是存在的。
補(bǔ)充一下，MCU是洪晶的STC系列。
，這個(gè)確實(shí)不容易發(fā)現(xiàn)，但MUC電路的上電初始化狀態(tài)，在最后核查電路時(shí)都要檢查一下的。像這個(gè)電路就要改成上電IOPin高時(shí)，Q2應(yīng)該是關(guān)閉狀態(tài)，可以把Ra1改成較小電阻接到R3前面，就是ENpin，MCU初始化時(shí)再將該pin改成強(qiáng)上拉狀態(tài)。直接改小Ra1也行吧？
D4的意圖不太明白，沒(méi)看出在什么情況下這點(diǎn)有反壓或反流，如果是想提高Q2的開(kāi)關(guān)閾值電壓以提高抗干擾性能，Ra1改小以后就不用了。
，這一貼是升官帖，升團(tuán)級(jí)了。
恭喜恭喜！D4沒(méi)有使用。實(shí)際上最后仍然沿用了這個(gè)電路結(jié)構(gòu)，不過(guò)將R3和Ra1改小，保證弱上拉的電流在Ra1上的壓降不足以開(kāi)啟Q2 就行了
我以前用三極管（Q1也用三極管）做的電池開(kāi)關(guān)也遇到這個(gè)問(wèn)題。試了好多辦法，不能用增大R3來(lái)解決，因?yàn)槟菍?dǎo)致Q1不能飽和導(dǎo)通，也試了用電容的辦法都不行。
最后解決辦法是把EN再接一個(gè)PNP三極管，c極接EN,e極接LOAD,b極串電阻接單片機(jī)IO口，把你的程序改為：導(dǎo)通時(shí)該IO口為0，要關(guān)斷時(shí)讓他為1就行了。這樣即使單片機(jī)失電時(shí)該IO口有正電壓，這個(gè)PNP三極管也是截止?fàn)顟B(tài)。
，我也是把電路當(dāng)愛(ài)好，沒(méi)事的時(shí)候來(lái)消遣。在這里發(fā)的電路我也是沒(méi)試過(guò)，只是單純地交流，說(shuō)不準(zhǔn)哪位再遇到時(shí)可能有一些幫助。上面的圖是不能通過(guò)發(fā)射極接IO口來(lái)檢測(cè)開(kāi)關(guān)S1狀態(tài)的，原因是IO口所設(shè)置或缺省的弱上拉模式時(shí)，這個(gè)口線不會(huì)有下拉到地的電流，所以在開(kāi)關(guān)接地后，該IO口依舊保持高電平，不過(guò)可以加以改進(jìn)就可以，這樣的話就只需一條口線即可實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)檢測(cè)又可以回鎖開(kāi)關(guān)：
也來(lái)湊個(gè)熱鬧：下面這個(gè)圖K1按下后沒(méi)有單片機(jī)也可以保持供電。單片機(jī)復(fù)位后PWOFF設(shè)置為輸入模式,當(dāng)讀取到低電平時(shí)變?yōu)檩敵瞿Ｊ剑敵龅碗娖疥P(guān)閉電源。這個(gè)圖的好處是當(dāng)MOS開(kāi)關(guān)管改為NPN晶體管后可以適應(yīng)接近Vcc的低電壓的輸入，這時(shí)R5就不能是0了，正常供電時(shí)要使得3.3V線的電壓接近3.3V。
