我做的250W純正弦波逆變器
本人是一個業余電子愛好者,沒有受過正規培訓電子知識都是自學的.我在業余時間里用U3988做了一個正弦波逆變器除集成電路外其他元件都是二手的,EE42是用17寸彩顯里拆出的磁蕊重繞的.整機空載電流為200MA,功率250W,我在制做過程中有一些想法不知對不對,現寫出來請高手指點.在220AC輸出濾波時我發現電感越大兩個下臂管發熱越大(無散熱片),不過電感磁蕊好象是鐵氧體的.后來用了一個鐵硅鋁的1MH的發熱就幾乎沒有了.但是在帶負載時帶電阻負載到250W時都沒有問題,效率為82%.在帶電腦這樣的負載時一開機兩個下臂管DS就擊穿我想這是過壓,于是在DS間并了一阻容吸收電路后電路可以正常工作了.不知這種想法對不對.另外為什么電感越大兩個下臂管發熱越大我問過說是共通,但是上臂管不發熱啊.難道真與磁蕊有關嗎?望高手解答.原理圖已上傳.1166779980.sch
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@xiaxiao1127
波形圖為帶60W小水泵時用手機照的.
你好!xiaoxiao
祝賀你,波形挺好.拍照的快門速度有點高,誤以為波形不完整.
電感越大下管越熱不屬于直通,接近直通時上下兩管同時發熱,我認為與死區時間有關,圖紙中的死區時間你沒有修改,對于IRF840來說,死區時間可以取500ns左右,圖紙中是1000nS多,從你的波形來看,在過零點有交越失真,也說明了這一點.你試試把四路死區的時間調整一下,C由330P改為100P即可.死區時間減小后,波形會更圓滑,交越失真就幾乎看不到了.IRF840的柵極電阻取小一些,不要取那么大,對減小發熱也有好處.
另外把IR2110的第2腳改接到MOS橋的地,不經過取樣電阻,可以有效防止浪涌燒管(電腦開機等).
祝賀你,波形挺好.拍照的快門速度有點高,誤以為波形不完整.
電感越大下管越熱不屬于直通,接近直通時上下兩管同時發熱,我認為與死區時間有關,圖紙中的死區時間你沒有修改,對于IRF840來說,死區時間可以取500ns左右,圖紙中是1000nS多,從你的波形來看,在過零點有交越失真,也說明了這一點.你試試把四路死區的時間調整一下,C由330P改為100P即可.死區時間減小后,波形會更圓滑,交越失真就幾乎看不到了.IRF840的柵極電阻取小一些,不要取那么大,對減小發熱也有好處.
另外把IR2110的第2腳改接到MOS橋的地,不經過取樣電阻,可以有效防止浪涌燒管(電腦開機等).
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@正弦芯
你好!xiaoxiao 祝賀你,波形挺好.拍照的快門速度有點高,誤以為波形不完整. 電感越大下管越熱不屬于直通,接近直通時上下兩管同時發熱,我認為與死區時間有關,圖紙中的死區時間你沒有修改,對于IRF840來說,死區時間可以取500ns左右,圖紙中是1000nS多,從你的波形來看,在過零點有交越失真,也說明了這一點.你試試把四路死區的時間調整一下,C由330P改為100P即可.死區時間減小后,波形會更圓滑,交越失真就幾乎看不到了.IRF840的柵極電阻取小一些,不要取那么大,對減小發熱也有好處. 另外把IR2110的第2腳改接到MOS橋的地,不經過取樣電阻,可以有效防止浪涌燒管(電腦開機等).
補充,我發現你的取樣電阻比較大,會給下管柵極帶來較高的尖峰,這是發熱的主要原因.按照我上面說的:把IR2110的第2腳改接到MOS橋的地,和逆變橋一起經過取樣電阻,這樣下管就不熱了.
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@hbzjcjw
“正弦芯”大哥:我的板全部OK,效率特別高,350VDCTO220VAC靜態電流為0(我用的10A擋測),總電流為230MA. 不過我用光耦反饋電壓還是保護,只有用一個小變壓器,有不有什么好的意見?
光耦反饋時需要調整的元件:
一.U3988第二腳對地的電容值,在0.1-0.47uF之間,一般取0.22uF;
二.反饋調節電位器兩端并聯的電容,在0.1-0.22uF,也可以不接;
三.反饋回路整流前的電阻,在470K-1M之間,可以取820K;
上述參數如果配合不好,就可能出現開不了機(保護)、正常使用時燈光有輕微閃爍、短路時不能可靠保護等現象.需要仔細調整.
一.U3988第二腳對地的電容值,在0.1-0.47uF之間,一般取0.22uF;
二.反饋調節電位器兩端并聯的電容,在0.1-0.22uF,也可以不接;
三.反饋回路整流前的電阻,在470K-1M之間,可以取820K;
上述參數如果配合不好,就可能出現開不了機(保護)、正常使用時燈光有輕微閃爍、短路時不能可靠保護等現象.需要仔細調整.
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