請各位高手談談:升壓DC/DC用移相全橋軟開關技術的缺陷
本人接觸電源這一塊不久,算是個新手.發現DC/DC用移相全橋軟開關技術的幾乎全是降壓型的,且大功率時也能做到高效率.但從原理上說升壓DC/DC用移相全橋軟開關技術完全可以實現,并且竊以為工程上也有廣泛的前景.為什么沒人做過?是效率不行,還是什么?如果是效率的問題,是否主要就是在升壓后整流管上大量的能量消耗.這個問題可以解決嗎?多謝.
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@wlx230
我的電路是典型的ZVS電路拓撲,IGBT為IMBH60D-100.另外請教雪老師一個示波器的問題,在拔掉示波器電源線插頭中間腳后,用示波器測超前橋臂的IGBT的CE間電壓時(主電路已工作),當示波器打到GND時,顯示并不是理想的一條橫線而是上有高頻干擾的信號,這是否為電路對示波器的干擾,這樣測試的波形是否真實?多謝了
忘了附主電路圖:
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/21/1094847392.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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@wlx230
忘了附主電路圖:[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/21/1094847392.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
你的電路有問題!
1MBH60D-100是富士的IGBT,不過我在富士的網站上沒有找到該型號的DATASHEET,只找到相似的1MBH60D-90A,這是DATASHEET:1094874207.pdf
從DATASHEET上看,這種IGBT的速度是很慢的,根本不適合在高頻下使用.
而且,ZVS軟開關最好采用MOSFET,因為MOSFET的DS結電容可以相當于緩沖電容,使開關管是零電壓關斷.如果你的確想用IGBT,那你需要在每個開關管的CE極并上一個高頻緩沖電容,用于實現零電壓關斷.而且你必須使用高速的、內帶反向并聯二極管的IGBT.向你推薦一個型號:IXYS的IXGH32N60CD1,不過,我覺得你的輸入電壓只有150VDC,還是選200V或300V的MOSFET更合適,因為低壓的MOSFET的RDSon相對較小.
還有,建議你把C7加上,防止偏磁.
每個開關管到底是否實現了ZVS,你可以用示波器觀察驅動波形和VDS波形來判斷.
1MBH60D-100是富士的IGBT,不過我在富士的網站上沒有找到該型號的DATASHEET,只找到相似的1MBH60D-90A,這是DATASHEET:1094874207.pdf
從DATASHEET上看,這種IGBT的速度是很慢的,根本不適合在高頻下使用.
而且,ZVS軟開關最好采用MOSFET,因為MOSFET的DS結電容可以相當于緩沖電容,使開關管是零電壓關斷.如果你的確想用IGBT,那你需要在每個開關管的CE極并上一個高頻緩沖電容,用于實現零電壓關斷.而且你必須使用高速的、內帶反向并聯二極管的IGBT.向你推薦一個型號:IXYS的IXGH32N60CD1,不過,我覺得你的輸入電壓只有150VDC,還是選200V或300V的MOSFET更合適,因為低壓的MOSFET的RDSon相對較小.
還有,建議你把C7加上,防止偏磁.
每個開關管到底是否實現了ZVS,你可以用示波器觀察驅動波形和VDS波形來判斷.
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@wlx230
忘了附主電路圖:[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/21/1094847392.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
請問您的L2和C11,C12是怎么確定的參數啊?多謝!
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@乞力馬扎羅的雪
你的電路有問題!1MBH60D-100是富士的IGBT,不過我在富士的網站上沒有找到該型號的DATASHEET,只找到相似的1MBH60D-90A,這是DATASHEET:1094874207.pdf從DATASHEET上看,這種IGBT的速度是很慢的,根本不適合在高頻下使用.而且,ZVS軟開關最好采用MOSFET,因為MOSFET的DS結電容可以相當于緩沖電容,使開關管是零電壓關斷.如果你的確想用IGBT,那你需要在每個開關管的CE極并上一個高頻緩沖電容,用于實現零電壓關斷.而且你必須使用高速的、內帶反向并聯二極管的IGBT.向你推薦一個型號:IXYS的IXGH32N60CD1,不過,我覺得你的輸入電壓只有150VDC,還是選200V或300V的MOSFET更合適,因為低壓的MOSFET的RDSon相對較小.還有,建議你把C7加上,防止偏磁.每個開關管到底是否實現了ZVS,你可以用示波器觀察驅動波形和VDS波形來判斷.
雪老師:不好意思,我的開關管型號應為1MBH50D-060,(這是最原先的圖紙)其CE上有650P的緩沖電容.此IGBT開關速度是比較慢,所以我把驅動信號死區時間設定為1.6us,在40KHZ以下應該還是可以的吧.(學生試驗,沒有那么多經費買新管子),至于加隔直電容以防偏磁,原先我也是這樣考慮的,但它會不會影響零電壓開關轉換?參照阮新波老師的書上也沒有加此電容.
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@乞力馬扎羅的雪
任何電源拓撲都有其應用的局限性.移相全橋也可以用于升壓電路.有這樣的例子.關鍵是看你的輸入輸出需求是否合適采用這種拓撲.
雪老師請看這個電路是否實現的了轉燈! 用6N60做18.5V2.5A的充電器.電氣性能要求:85%的效率..短路保護帶轉燈功能.最大電流2.8時應保護.謝謝!1095192705.ddb
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