devinguu：
奇妙大師。這個帖子放著好久了一直沒有結題。后來嘗試著研究了一下高電壓輸入情況下開關電源的功率損耗情況。經過測試對比發現，在高電壓輸入情況下，MOSFET的Coss參數影響非常大，可以說是影響高壓輸入情況下電源效率的主要影響因素。Pcoss=0.5*fs*Coss*Vds2 ， 很明顯，Pcoss（開關損耗的一部分）在高壓下的影響是不容小覷的，且輸入電壓越大，Pcoss對效率的影響越為明顯。針對本帖原有的拓撲結構，上管MOSFET的應選用具有比較小的Coss的MOS。但鑒于高壓mos的Coss都比較接近，可以通過2個稍低耐壓的MOS通過串聯的方式進行減小等效Coss。