99久久全国免费观看_国产一区二区三区四区五区VM_久久www人成免费看片中文_国产高清在线a视频大全_深夜福利www_日韩一级成人av

快充應用中變壓器設計時進行綜合考量對于設計工程師來說將是個挑戰。

隨著功率增加，外殼較小，如果電源轉換效率不高，充電器發熱嚴重的話，相應對產品的可靠性也是個考驗。

而快速充電的輸出電壓是變化的，因而要考慮使用單一變壓器實現不同輸出電壓情況下的效率問題。

在以前的輸出電壓固定的設計當中，優化效率相對來講比較容易。

而即將興起的USB-PD協議，則可以完全實現雙向通訊，且其傳輸功率可以進一步增加，應用前景將更加廣闊。

總結的還不錯，其實DATASHEET里面有溫度相關的特征曲線的，只不過真正去看和比較的人不多；MOSFET不像IGBT，電流定義的規格不同，IGBT以100C能承受的電流來定義的，但是MOSFET是以25C來定義，所以某種程度上可以以小充大，其實只要仔細看看后面的溫度曲線就知道大概了，當然一分錢一份貨的，在價格主導的今天，大家都是盡量做到最好的折衷..

coolmos應該是未來業界的潮流，值得好好學習和研究！

NCE的和Infineon的C3是基本同一個平臺但有工藝改進而來的，那驅動Qg和結電容導致炸機的風險Toshiba和ST之類的風險要高于NCE。

　Coolmos的Rds是正溫度系數的東西，但Toshiba和ST的Rds標示的是25C是的參數，實際mosfet工作起來是25C還是125C?有測過除開Infineon的外ST和Toshiba之流的125C時候的實際Rds是否是他規格書中的參數嗎?把Toshiba或者ST的所謂20N60的coolmos和NCE，Infineon的20N60拿來做一下對比測試就知道誰在忽悠人了。

舉個例子，在一個70W的筆記本適配器上，很多還是用的20A的平面管(或者是16A)，但是我們知道實際電路里的有效電流其實很小，用20A只是看重他的低內阻，降低損耗，降低溫升。