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貌似很專業(yè)，就是看不懂

低功耗設(shè)計(jì)的最大難點(diǎn)就是如何控制外圍電路、模塊的電源管理

不管是高頻還是低頻，其本質(zhì)都是坡印廷矢量引起，只不過(guò)在實(shí)際應(yīng)用中只講現(xiàn)象，用表象參數(shù)而已。

一般是6-8K吧

匝數(shù)是個(gè)無(wú)量綱的數(shù)，它與電流相乘還是電流的單位安培。意思是，100匝1安培電流對(duì)于磁芯的影響，等效于1匝100安培電流對(duì)它的影響。

這個(gè)不是定理，這個(gè)就是那個(gè)公式，峰值電流

1、這里說(shuō)的是磁芯，因?yàn)镮是拓?fù)錄Q定的，增加N即增加B，一般情況下，B的增加將會(huì)導(dǎo)致磁芯的有效導(dǎo)磁率μe的降低，這種情況在粉芯類磁芯上最為明顯，鐵氧體磁芯也有少量的降低，最終導(dǎo)致L不與N的平方成正比。2、這里說(shuō)的是L對(duì)拓?fù)涞挠绊懀c電路很有關(guān)系，如果L置于主拓?fù)洌@個(gè)變化比較明顯，如果L置于前后濾波，則影響甚微。3、說(shuō)反了吧？

大致是這樣，但是仔細(xì)追究起來(lái)還有其他因素：1、多數(shù)情況下，L并不是完全與N的平方成正比，要小一點(diǎn)，小多少？查磁芯手冊(cè)2、增加N，導(dǎo)致L增加，一般情況下，L增加后電流I會(huì)略有降低，降多少？看你的電路了。3、為防止飽和，增加磁芯體積并不是唯一的選擇，增加氣隙寬度也是一種選擇。所以書上那句話也不完全正確。