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木槿年華：

狀態機的轉移，現在一直在用這個做按鍵的掃描。解放MCU

2014-02-27 01:50 回復

木槿年華：

收了

2014-02-26 23:51 回復

木槿年華：

也就是R9原來接+12V處改成接負端（也就是原來光耦的E極處）。而將光耦C極改接+12V處，光耦E極改接至MOS管柵極。

2014-02-26 02:34 回復

木槿年華：

要相反？那要把光耦與R9位置互換！

2014-02-26 02:32 回復

木槿年華：

原因是光耦在一周期內只有一小半時間是導通的，截止期間12V通過10K對C4充電，其后期電壓已經高于Vgs(th)了，也就是處于微導通與截止的交替之中，所以FJ1就會慢速旋轉。解決的辦法有下面幾種：1、增大R9。2、增大C4。3在光耦輸入端并聯電解電容。

2014-02-26 02:31 回復

木槿年華：

把R9換成100K試試！

2014-02-26 02:28 回復

木槿年華：

去看看數據手冊上MOS管的符號是怎么畫的！

2014-02-26 02:27 回復

木槿年華：

這根本就不是MOS管的畫法！而是個NPN三極管！

2014-02-26 02:26 回復

木槿年華：

如果說FJ1的電流很小，那么可以直接用光耦控制，否則的話①光耦的輸出端是否允許這么大的電流？②即便是光耦的電流允許這么大，那光耦的輸入端是否也需要要足夠大的輸入電流才能驅動，那么輸入的功耗要多大呢？（你的輸入端不是要接220V嗎？那你算算那個串聯的降壓電阻需要多大的功率？）

2014-02-26 02:25 回復

木槿年華：

取消R8后，光耦導通時MOS管柵極電位很低，接近0V，可以很可靠關斷。而光耦截止時，柵極電位接近12V，溝道電阻很低，處于比較理想的導通狀態。（按數據手冊數據，10V時的溝道電阻小于11.5Ω）

2014-02-26 02:24 回復

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