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NMOS并不需要這個特性，可以通過前置一個反相器來解決

Q3和Q4用來提供驅動電流，由于導通的時候，Q3和Q4相對Vh和GND最低都只有一個Vce的壓降，這個壓降通常只有0.3V左右，大大低于0.7V的Vce。

在給大家提供一個用于NMOS的驅動電路[圖片]

給大家提供一個用于PMOS的驅動電路Vl和Vh分別是低端和高端的電源，兩個電壓可以是相同的，但是Vl不應該超過Vh。[圖片]

驅動電阻增加可以降低MOS管開關的時候得電壓電流的變化率。比較慢的開關速度，對EMI有好處。

MOS管的G極之間，會串一個電阻，就如下圖的R3，驅動電阻的作用，如果你的驅動走線很長，驅動電阻可以對走線電感和MOS管結電容引起的震蕩起阻尼作用[圖片]

這個圖表確實很直觀，一下就能看出雙極性晶體管跟mos管的主要差異了。

假如驅動是個理想脈沖源，那么其驅動能力就是無窮大，想提供多大電流就給多大。但實際中，驅動是有內阻的，假設其內阻為10歐姆，在10V電壓下，最多能提供的峰值電流就是1A，通常也認為其驅動能力為1A

很多地方都有用到，例如在電動車控制器、控制器、開關電源、風扇、整流器等等，而且MOS管型號也很多。

運算放大器電路，這個還是要一定的功底才能分析好。