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會不會是由于驅動電流不足，驅動大功率MOS管時（由于其柵極電容的存在），無法快速對其柵極電容充電，引起柵極電壓上升緩慢，切換功耗大大增大，引起燒MOS管？

在一些低壓的應用場合，例如當使用5V電源，這時候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結構，由于三極管的be有0.7V左右的壓降，導致實際最終加在gate上的電壓只有4.3V。這時候，我們選用標稱gate電壓4.5V的MOS管就存在一定的風險。

跟雙極性晶體管相比，一般認為使MOS管導通不需要電流，只要GS電壓高于一定的值，就可以了。這個很容易做到，但是，我們有的時候還需要速度。

有的，也有做其它普通的二極管，還有電源芯片，可以去芯派網(wǎng)站看看，

只要流過穩(wěn)壓二極管中的最大電流不要超過穩(wěn)壓二極管最大允許電流值就可以，不同型號穩(wěn)壓管的最大允許電流值是不同的，可以通過具體的型號手冊查出來該參數(shù)。

要想讓穩(wěn)壓二極管實現(xiàn)穩(wěn)壓輸出，必須保證電流要達到額定穩(wěn)壓值，太小的話管子因無法導通而無法穩(wěn)壓，太大了則會因功率增大而燒毀管子。為了防止穩(wěn)壓二極管兩端電壓增大而造成內部電流的急劇增加，需要在電路中使用一只電阻與管子串聯(lián)來分壓，由于電阻的引入還可以很有效的減小管子內部的電流過大問題，因此起到了對管子的保護。

如果是保護電路免遭18V以上電壓的沖擊。那么也可以用一個18V的壓敏電阻來代替18V的穩(wěn)壓管。

例如1N5226跟1N4728輸入輸出都是3.3V，但是1N5226屬于精密穩(wěn)壓管，而1N4728屬于普通穩(wěn)壓管.