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xiao4igbt:
非常適合直流變頻600VIGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)
2012-04-08 19:20 回復(fù)
原帖:驅(qū)動(dòng)IGBT選用什么芯片比較合適!!
xiao4igbt:
600V直流加載測(cè)試關(guān)閉狀態(tài)highside漏電小于0.2uA. 比該大廠近百uA漏電,好很多....
2012-04-08 19:19 回復(fù)
原帖:驅(qū)動(dòng)IGBT選用什么芯片比較合適!!
xiao4igbt:
pin2pin兼容國(guó)外大廠*R213**芯片,‘單片三相獨(dú)立橋式驅(qū)動(dòng)芯片’,希望拜訪你,并當(dāng)面測(cè)試。如需要,請(qǐng)發(fā)相關(guān)聯(lián)系方式到如下地址:alexinn@yahoo.com
2012-04-08 19:17 回復(fù)
原帖:驅(qū)動(dòng)IGBT選用什么芯片比較合適!!
xiao4igbt:
AC220V用600VIGBT即可。
2012-04-02 20:04 回復(fù)
原帖:為什么.沒有人做高輸入電壓的逆變器.
xiao4igbt:
1)后級(jí)R16接的管子gate漏電,換一個(gè)管子就好了.
2012-04-02 09:21 回復(fù)
原帖:mos管,IGBT驅(qū)動(dòng)芯片IR2117,輸出端HO輸出波形 不規(guī)則,,請(qǐng)教
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