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怎么圖片顯示不出來

 

已經(jīng)拿到IR2110，再配合其他的一些參數(shù)調(diào)整，電流已經(jīng)基本沒有尖峰的問題了。旅長是否能推薦一款單通道的驅(qū)動(dòng)，這樣不會(huì)太浪費(fèi)。非常感謝。附調(diào)整后的波形。

非常感謝您提供的文件，設(shè)計(jì)之初參考過這個(gè)文件，實(shí)際設(shè)計(jì)也基本吻合這里面提到的參數(shù)，但是問題依舊存在，這個(gè)IR只驗(yàn)證過350W的負(fù)載，但是負(fù)載一旦增大就有問題了。

在一定范圍內(nèi)，增大電感值可以有效的降低紋波；固定的磁心，增大電感就要增加圈數(shù)，固然也就意味著增大了銅損，這個(gè)需要折中考慮。

問題已經(jīng)得到很大改善，但是依然存在，還在繼續(xù)分析實(shí)驗(yàn)中。下一步是從MOSFET的驅(qū)動(dòng)方面進(jìn)行進(jìn)一步的改善。團(tuán)長有什么建議一定不吝指點(diǎn)一二，小弟先謝過了。

頂起，別沉了

一般是電感值太小。具體電路具體分析，把你的電路貼出來看看吧。

感謝分享，早點(diǎn)發(fā)現(xiàn)就不去買這本書了。

今天收到了電容樣品并分別對(duì)1.5uF,2.2uF,200nF,100nF進(jìn)行了測(cè)試，有兩點(diǎn)結(jié)論：1.此四款輸入電容下，對(duì)尖峰電流的抑制效果是相差無幾。2.輸入電容容值越小，輸入的饅頭電壓的紋波越大。看來改變輸入電容這條路是行不通了。歡迎大家發(fā)表建議。