Emma_shen：
您只說了部分，我詳細說下我對功率MOSFET動態(tài)特性的個人理解，以您的理解您覺得有紕漏可以補充。。。 如圖1所示連接并驅動MOSFET，其中：up為矩形脈沖電壓信號源；Rs為信號源內阻；RG為柵極電阻；RL為漏極負載電阻；RF用以檢測漏極電流； 如圖2所示為MOSFET的動態(tài)工作波形：在MOSFET的開通過程，由于MOSFET有輸入電容，因此當脈沖電壓up的上升沿到來時，輸入電容有一個充電過程，柵極電壓uGS按指數曲線上升；當uGS上升到開啟電壓uT時，開始形成導電溝道并出現漏極電流iD；從up前沿時刻到uGS=uT，且開始出現iD的時刻，這段時間稱為開通延時時間td(on)；此后，iD隨uGS的上升而上升，uGS從開啟電壓uT上升到MOSFET臨近飽和區(qū)的柵極電壓uGSP這段時間，稱為上升時間tr，即MOSFET的開通時間ton=td(on)+tr。在MOSFET的關斷過程，當up信號電壓下降到0時，柵極輸入電容上儲存的電荷通過電阻Rs和RG放電，使柵極電壓按指數曲線下降，當下降到uGSP繼續(xù)下降時，iD才開始減小，這段時間稱為關斷延時時間td(off)；此后，輸入電容繼續(xù)放電，uGS繼續(xù)下降，iD也繼續(xù)下降，到uGS