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MOS芯片規格選小了，磁芯復位續流電流估計是超二極管的電流能力了。

地址私信發給你了

600VMOS的VGS實際耐壓都在30V以上，這種情況并不一定就是GS燒壞，所以在GS上并聯穩壓管或者TVS都不能完全解決上述出現的問題。具體是不是由電壓造成VGS損壞的，最好提供壞品，讓芯片廠商進行分析。也可以委托給我幫分析。

換IR的IRFP2907或 HPW080NE5SPA試一試，HY4306W雪崩能力不強。用在逆變上不是那么合適。把擊穿的管子給我個做個分析，看能探究損壞原因。

分享一張IRFP260N失效圖[圖片]

MOSFET失效分析還是需要點條件的分享兩張MOS失效圖片[圖片][圖片]需要分析失效元件，可以找我。IC除外。

如果是SOT-23的多顆MOSFET并聯可以選擇TO-252的MOS[圖片][圖片]

3400靜態參數[圖片]

這是2302靜態參數：[圖片]

MOS的型號沒有給出來，不好說明參數選型。8050/8550Vce(sat)電壓是比較高的，0.5-0.6VMOS選用的如2302這類產品。它的Vth是0.4-1.4的范圍。出現關不斷的情況并不奇怪。