meikunnian123：
如圖1、圖2、圖3所示，電阻R4分別出現(xiàn)在了3個不同的位置，想和大家探討一下R4加在什么位置更加合適。首先想請教一個問題，三極管的關(guān)斷時間與開通時間是否相等，如果不相等，那么圖1、圖2、圖3中的Q2、Q3有沒有短暫的同時導(dǎo)通的可能？如果有這個可能，是否會出現(xiàn)瞬間的短路大電流，損壞Q2、Q3。個人理解如下：圖1中的R4起到兩個作用，其一可以在Q2、Q3短暫的同時導(dǎo)通中起到限制電流保護三極管的作用，其二可以調(diào)整MOS管的開通速度，這與通常接在MOS管柵極上的小電阻作用一樣。圖2中的R4所接位置，我在論壇中好多人的貼在中看到。R4調(diào)整MOS管的開通速度，這個一種常規(guī)接法了，有時為了加速MOS管關(guān)閉，還會在R4上并聯(lián)一個二極管。圖3中的R4所接位置是我自己考慮出的，不知道可以不可以。這樣在驅(qū)動MOS管導(dǎo)通時，圖3中R4與圖2中的R4位置可以認(rèn)為是一樣的，都可以調(diào)節(jié)MOS開通速度。在MOS管關(guān)閉時，MOS管的速度還會快于圖2中的，應(yīng)為關(guān)閉是柵極上沒有電阻。此外由于圖3中的R4與Q2、Q3串在一起，如果Q2、Q3出現(xiàn)了短暫的同時導(dǎo)通，R4也可以起到限制電流保護Q2、Q3的作用。