ope8363744：
好斑竹，你好。我把你的這個反激變壓器設計過程與一份仙童的反激變壓器設計過程仔細對比了一下。發現前面的都是差不多的。（證明條條大路都是通羅馬的），但是惟獨最后的RCD吸收損耗這方面不一樣。仙童的是P=0.5*Llk*(Idspeak)2*fs (其中：Llk 是初級側漏感，Idspeak是原邊峰值電流，fs 是開關頻率 )我用你的方法算出來，一個50W的電路RCD上有7W的損耗，現在計算的100W的電源，損耗更是達到10W左右，我前面的參數在怎么調整，這個損耗都是差不多。（我計算的條件是：85VAC-265VAC 輸出100W，輸出電壓35V，輸出電流2.8A。MOS管耐壓600V，開關頻率66.5KHZ，效率80%，MOS電壓應力比例我選擇85%）不知道這個是不是正常的。