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用DS壓降檢測感覺有以下幾個缺點：1、受溫度影響較大；2、不同型號MOS保護點不一樣，并聯管數不一樣保護點不一樣；3、要增加不少不少外圍元件。在考慮怎樣建立一個可靠的保護系統，心里有一定的想法了，準備做個實驗。要做到可重復性好，只要校準一次，以后按相同工藝做就不需要再校準。在淘寶上沒找到十幾塊的成品，問下hms_ok，哪里能找到？我雖然離深圳賽格只有500米遠，但是去那找也是大海撈針啊。。。

輸入60v時，4468耐壓不夠吧？才100v。

兩位旅長，這是暗號么？革命成功啦？

謝謝老壽。只能先用著看看，還是有點擔心空載時擊穿場館。

同一個變壓器，之前用在別的電路上沒問題。MOS管的驅動也很好。這是空載的情形，如果加上負載，則DS波形就變得相當好。分布電容？能否具體些？

沒調小電容試試？

理論上是1440v，但實際上由于電池電壓偏高和漏感等等原因，空載時或會超出1440v，加一個過壓保護比較可靠。

我有2個疑問：1、C6上應該是2倍壓660v，而不是330v。2、D4的半波應該不算損耗吧？看不出損耗在哪個元件上。

精神可嘉,頂但是..但是..C6貌似也是800v,小心22塊又沒了!

平頂處貌似沒有750V，呵呵如果峰值能到1500v，估計下水效果不錯了。這個電路優點是控制簡單靈活，沒有電感的能量浪費和發熱問題；缺點是管子要求太高，要想做更高電壓幾乎找不到管子了。