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豐行天下:
“室溫是10度左右。。老化時(shí)產(chǎn)品的溫度是80度左右?!睖厣?0度,有點(diǎn)高。是不是MOS的品質(zhì)差些?換個(gè)8N80試試吧。MOS在高溫時(shí)的實(shí)際承受電流會變小。
2011-02-11 20:14 回復(fù)
原帖:炸機(jī)原因:是UC3842AN。高手進(jìn)。3842加3NK80做12V3A批量過沒事,現(xiàn)老化50%炸機(jī)。
豐行天下:
功率地一般是指有大流流過的地,要就近接到大電解的地上。模擬地是芯片的地,電流很小,為防止功率地的干擾,不能直接相連,和功率地分別接在大電解的地上。
2010-08-30 21:57 回復(fù)
原帖:求助:PWM控制芯片的功率地(PGND)和模擬地(AGND)有什么不同?
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