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liuxinso:
關鍵是在于重疊的部分。所以開通的時候,你要把電流一直抑制在零,是很困難的,本來就很小。關斷時是一樣的道理。
2011-12-03 21:11 回復
原帖:對于功率mos管,零電壓開通優于零電流開通的依據是什么?
liuxinso:
在開通時,MOS上的電流就是零哈。關斷時,MOS上的電壓也是很小滴。
2011-12-03 21:10 回復
原帖:對于功率mos管,零電壓開通優于零電流開通的依據是什么?
liuxinso:
mark
2011-11-30 21:48 回復
原帖:【原創】跟我學系列之二,元器件降額使用參考
liuxinso:
隔離型的不需要檢測漏電流吧。而且漏電流肯定很小哦。
2011-11-21 14:56 回復
原帖:microchip的光伏并網逆變參考設計
liuxinso:
1相位跟二極管的接法也是有關系的。漏感吸收部分用的是有緣前衛,將漏感能量存在電容中,下個開關周期再釋放掉。所以效率可以做的好。2交錯并聯flyback,不僅僅是升壓,還有調制,也就是說,flyback的輸出是100Hz/120Hz的饅頭波,再通過SCR進行逆變,SCR只是工頻換向罷了。3這個案子是最常用的一個案子了,只不過有源前衛部分是個專利,不能商業化。需要自己變通一下。
2011-11-21 14:53 回復
原帖:microchip的光伏并網逆變參考設計
liuxinso:
即使尖峰小于DIODE的電壓應力,但是還是建議你加一個RC,損耗可以這樣計算:0.5C*U*U*f,C可以取個pf級的,比如470p,損耗也很小,但是整個電壓尖峰和EMC都會有很大改善
2011-10-25 22:36 回復
原帖:這個尖峰電壓是什么引起的
liuxinso:
效率并不是唯一追求的。穩定性更重要些。
2011-10-23 11:57 回復
原帖:這個尖峰電壓是什么引起的
liuxinso:
任何電路都有其優點和缺點。呵呵。要不你用有源嵌位,加一個MOSFET加一個電容,加驅動電路,再弄個控制時序。
2011-10-23 11:57 回復
原帖:這個尖峰電壓是什么引起的
liuxinso:
在二極管上加RC吸收電路
2011-10-21 11:38 回復
原帖:這個尖峰電壓是什么引起的
liuxinso:
空載時,沒有輸出電流,變壓器原邊只有磁化電流,你可以計算計算,勵磁電感、漏感、電容之間的諧振頻率和峰值。
2011-10-11 21:11 回復
原帖:【討論】全橋移相控制芯片討論
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