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IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),絕緣柵雙級(jí)型晶體管,實(shí)質(zhì)是一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管.三個(gè)級(jí)分別稱為:E(發(fā)射極),C(集電極),G(柵極).MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorFiedEffectionTransistor),三個(gè)級(jí)分別稱為:D(漏極),S(源極),G(柵極).

先貼一個(gè)框圖上去.[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/28/1114593358.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">

那是SIMULINK仿真圖.原理圖用MATLAB畫(huà)不合適,等我用PSPICE畫(huà)好就貼出來(lái).其實(shí)二者是一致的,只是MATLAB側(cè)重與控制系統(tǒng)的分析,看上去類似于自控里的傳遞函數(shù)框圖.

在一個(gè)周期T內(nèi),導(dǎo)通時(shí)的脈寬為t,則占空比d=t/T,它是一個(gè)變化的數(shù)值,在0-1之間.

IGBT通常用在大功率場(chǎng)合,而MOSFET用在中小功率場(chǎng)合.另外,IGBT的通態(tài)壓降比MOSFET的小

我也是初學(xué),請(qǐng)諸位同仁不吝指正.電路指標(biāo):DC380V輸入,開(kāi)關(guān)頻率50K,輸出220V正弦(50HZ),載波采用三角波(50K,幅值15V).負(fù)載電阻60歐姆,濾波電容25微法,濾波電感0.5毫亨.單級(jí)性SPWM信號(hào)在PWM模塊中(藍(lán)色),反饋采用電壓瞬時(shí)值反饋策略.電壓波形還行,但濾波電感紋波較大,不理想,有待改進(jìn).1114574275.mdl

曾經(jīng)用MATLAB仿真(帶電壓瞬時(shí)值反饋),通過(guò).你要是認(rèn)為這個(gè)仿真有幫助的話,我可以把仿真圖發(fā)上來(lái)

SG3525即可,雖然它的給定為2.5V,但是可以通過(guò)調(diào)節(jié)采樣電路(最簡(jiǎn)單的就是電阻分壓)來(lái)和2.5V匹配.

檢查反饋回路是否正常工作,能夠調(diào)壓.

所謂“反激”是指在開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí),能量?jī)?chǔ)存在變壓器原邊電感中,當(dāng)且僅當(dāng)開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí),才將變壓器原邊所儲(chǔ)存的磁能傳遞到副邊電感,再由它傳至負(fù)載.可以參考一些電力電子方面的書(shū)籍,一般都有這種反激電路的詳細(xì)分析.