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eiyouwei：

DMOS

2010-11-26 22:51 回復

eiyouwei：

把你的條件說清楚，別人就能夠幫上忙了。你需要說清楚你的拓撲結構、輸入電壓范圍、工作頻率（如果用IC的話最好把IC型號說出來）

2010-10-10 10:25 回復

eiyouwei：

用EFD25做100W很難

2010-06-01 21:22 回復

eiyouwei：

第一帖上不是有原理圖嗎？我按照那個原理圖說的

2010-02-20 11:36 回復

eiyouwei：

如果是震蕩了的話調整如下參數都會看到效果的1、C13變為原來的10倍或更高2、R18變為原來的2到5倍3、R19短接4、C14變為原來的10倍或更高震蕩了就是要增加相位裕量，降低開環增益

2010-02-09 22:14 回復

eiyouwei：

第二種在mos管導通的時候會對電容充電，在mos管關斷的時候反向充電。雖然吸收效果顯著，但是損耗可能也很大，而且對電容沖擊以很大。

2010-01-13 21:52 回復

eiyouwei：

差別這么大的話，變壓器的繞法要檢討一下了。最好用示波器測試是否差這么多，萬用表測試這種波動的電壓是會有較大的誤差。差別這么大是很不正常的

2009-12-30 21:32 回復

eiyouwei：

4148下面的那個電阻改為零歐姆的就可以了，主要是VDD電壓偏低引起的，vdd電壓過低就發生欠壓保護了。最好的方法是輔助線圈多加1圈就可以了。

2009-12-30 15:28 回復

eiyouwei：

是否腿都是鍍金的?呵呵

2009-12-23 14:43 回復

eiyouwei：

我們的做法是電源輸入部分用變壓器隔離,同時變壓器用隔離探棒而不是普通的探棒.

2009-12-22 19:03 回復

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