eqver：
好，非常歡迎深入討論問題。第一：在CCM模式下，隨著輸入電壓的減小，占空比增大，根據伏秒積守恒Vin*Ton=Vr*(1-Ton)，Vr不變，所以此時伏秒積最小，相關解釋也可以參考BODE的解釋。在實際中，想提高反激的效率，工程師都是考慮CCM，而不是DCM。第二：deltB越小的時候B會越大，而不是第50貼所說的"deltB越大B就越大"。第三：不能光憑感覺就說Ton越大，伏秒積就越大，事實上是越小，原因已經在第一點中說清楚了;又Vin=L*deltI/Ton，也即Vin*Ton=L*deltI，所以說輸入電壓越低，deltI最小，對應于25貼的圖形，既然deltI最小，此時的deltH=deltI*N/l(l是磁路長度)也最小，那么deltB當然也是最小的。你如果不相信，自己拿示波器去測試，輸出功率不變的時候，輸入電壓減小，看看到底deltI是增大還是減小；想要獲得自信最好的辦法就是自己的實踐驗證了自己的推理。為什么我總是要指出版主的錯誤，原因就是版主的話，影響的范圍太寬了；別人說話可以措辭不嚴謹，但是對于版主，措辭必須嚴謹。