太陽の光：
問題1:D1,D2發熱是由于負載太重引起的.問題2:負載R32端電壓只有200V說明可控硅沒有完全導通.問題3:壓敏電阻R4,自己燒壞,你用的是7D431K,擊穿電壓是430V.一般V1mA=1.5Vp=2.2VAC因為AC220V的峰值是V1mA=1.5Vp=1.5××220V=330V,所以選擇壓敏電阻的擊穿電壓是V1mA=2.2VAC=2.2×220V=484V,所以建議應該選擇7D471K,或者10D471K.問題4:用Q2的方式驅動是可以的.問題5:雙向可控硅上的壓降太大說明你可控硅沒有完全導通.雙向可控硅的最佳工作方式是在2、3象限,你現在工作在1、4象限,雙向可控硅工作在4象限,是可控硅最弱的時候,容易損壞.所以有條件最好能更改驅動方式,用低電平驅動雙向可控硅,使他工作在2,3象限.你可以去網上去看看可控硅應用10大準則.你可以仔細看一下你的可控硅資料B136,當T2+G+,T2-,G+的驅動電流和維持電流需要多少.驅動電流T2+G+,50MA,T2-,G+,100MA,維持電流T2+G+,30MA,T2-,G+,30MA.在加上你的IC和,Q2的驅動電流和維持電流.注意你的阻容降壓電路,必須要在100MA以上.然后在看看你的1UF的電容,能否滿足這么大電流.(所以你去按照阻容降壓公式算一下滿足這么大的電流需要多少的電容).所以也就可以解釋,為什么你電壓會下降,D1,D2為什么會發熱,雙向可控硅為什么沒有完全導通.