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如果用單級BUCK的話，低壓輸入的時候導通變得很小，THD會比較大

10%Thd可以做到，但是你要做非隔全電壓的話，就要用BUCK-BOOST架構，這樣成本會高一點，效率相對會低一點

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會發熱是因為有損耗，而MOS的損耗由三部分組成：開關，關斷，傳導損耗，把波形，電路圖，變壓器參數發上來就知道問題點在哪里了

如果你的CBB旁邊是用的壓敏電阻且是471的那就很有可能是壓敏導通了溫度很高導致CBB損壞的CBB電容爆掉如果沒有過壓的情況下，基本上就是過溫度導致壞的了，以前也有遇到過紋波電流太大出問題的，一般CBB電容本身的溫升不超過5度問題都不大

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感覺你的波形都不太對，發兩個波形給你參考。

NBDY兄，如果你把匝比改為44：11的話會有以下幾個問題：1.輸出為50V/0.7A那么VOR就有200V了2.匝比太大會導致漏感大，那么MSO尖峰就高了，保守一點先算它100V3.VOR太大也就是占空太大，芯片會工作不太正常，（雖然是臨界模式的）4.輸入264V的時候MOS的VDS大約為(尖峰按100V)675V，如果是短路的話可能會更高，這樣的話得用800V或更高耐壓的MOS，成本會上升，而且MOS耐壓越高導通電阻就越大

你的變壓器設計沒有太大的問題，你可以看看VDS波形有沒有振蕩，如果也很好的話，你可以試一下，把次級減少二圈，把次級二極管換成一個SF56電流和電壓都夠了，（用二個二極直接并聯不太好，有時會有EMC或者是別的問題）這樣MOS的溫度會好一些，但是能下來多少，只能去試了，如果還不行，只能換更低內阻的MOS了，祝你好運