180143315：
一、GB/T2423有以下51個標(biāo)準(zhǔn)組成:1GB/T2423.1-2001電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗A:低溫2GB/T2423.2-2001電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗B:高溫3GB/T2423.3-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Ca:恒定濕熱試驗方法4GB/T2423.4-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Db:交變濕熱試驗方法5GB/T2423.5-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分:試驗方法試驗Ea和導(dǎo)則:沖擊6GB/T2423.6-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分:試驗方法試驗Eb和導(dǎo)則:碰撞7GB/T2423.7-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分:試驗方法試驗Ec和導(dǎo)則:傾跌與翻倒(主要用于設(shè)備型樣品)8GB/T2423.8-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分:試驗方法試驗Ed:自由跌落9GB/T2423.9-2001電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗Cb:設(shè)備用恒定濕熱10GB/T2423.10-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分:試驗方法試驗Fc和導(dǎo)則:振動(正弦)11GB/T2423.11-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗Fd:寬頻帶隨機(jī)振動--一般要求12GB/T2423.12-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗Fda:寬頻帶隨機(jī)振動--高再現(xiàn)性13GB/T2423.13-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗Fdb:寬頻帶隨機(jī)振動中再現(xiàn)性14GB/T2423.14-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗Fdc:寬頻帶隨機(jī)振動低再現(xiàn)性15GB/T2423.15-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分:試驗方法試驗Ga和導(dǎo)則:穩(wěn)態(tài)加速度16GB/T2423.16-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗J和導(dǎo)則:長霉17GB/T2423.17-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Ka:鹽霧試驗方法18GB/T2423.18-2000電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分:試驗--試驗Kb:鹽霧,交變(氯化鈉溶液)19GB/T2423.19-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Kc:接觸點和連接件的二氧化硫試驗方法20GB/T2423.20-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Kd:接觸點和連接件的硫化氫試驗方法21GB/T2423.21-1991電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗M:低氣壓試驗方法22GB/T2423.22-2002電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗N:溫度變化23GB/T2423.23-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗試驗Q:密封24GB/T2423.24-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分:試驗方法試驗Sa:模擬地面上的太陽輻射25GB/T2423.25-1992電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Z/AM:低溫/低氣壓綜合試驗26GB/T2423.26-1992電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Z/BM:高溫/低氣壓綜合試驗27GB/T2423.27-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Z/AMD:低溫/低氣壓/濕熱連續(xù)綜合試驗方法28GB/T2423.28-1982電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗T:錫焊試驗方法29GB/T2423.29-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗U:引出端及整體安裝件強(qiáng)度30GB/T2423.30-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗XA和導(dǎo)則:在清洗劑中浸漬31GB/T2423.31-1985電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程傾斜和搖擺試驗方法32GB/T2423.32-1985電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程潤濕稱量法可焊性試驗方法33GB/T2423.33-1989電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Kca:高濃度二氧化硫試驗方法34GB/T2423.34-1986電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Z/AD:溫度/濕度組合循環(huán)試驗方法35GB/T2423.35-1986電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Z/AFc:散熱和非散熱試驗樣品的低溫/振動(正弦)綜合試驗方法36GB/T2423.36-1986電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Z/BFc:散熱和非散熱樣品的高溫/振動(正弦)綜合試驗方法37GB/T2423.37-1989電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗L:砂塵試驗方法38GB/T2423.38-1990電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗R:水試驗方法39GB/T2423.39-1990電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Ee:彈跳試驗方法40GB/T2423.40-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗Cx:未飽和高壓蒸汽恒定濕熱41GB/T2423.41-1994電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程風(fēng)壓試驗方法42GB/T2423.42-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗低溫/低氣壓/振動(正弦)綜合試驗方法43GB/T2423.43-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分:試驗方法元件、設(shè)備和其他產(chǎn)品在沖擊(Ea)、碰撞(Eb)、振動(Fc和Fb)和穩(wěn)態(tài)加速度(Ca)等動力學(xué)試驗中的安裝要求和導(dǎo)則44GB/T2423.44-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分:試驗方法試驗Eg:撞擊彈簧錘45GB/T2423.45-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗Z/ABDM:氣候順序46GB/T2423.46-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗Ef:撞擊擺錘47GB/T2423.47-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗Fg:聲振48GB/T2423.48-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗Ff:振動--時間歷程法49GB/T2423.49-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗Fe:振動--正弦拍頻法50GB/T2423.50-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗Cy:恒定濕熱主要用于元件的加速試驗51GB/T2423.51-2000電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗Ke:流動混合氣體腐蝕試驗