allenpp：
這兩個(gè)驅(qū)動(dòng)芯片能在負(fù)壓基礎(chǔ)上給出驅(qū)動(dòng)信號(hào)嗎?您做過實(shí)驗(yàn)嗎?比如說我要做一個(gè)-15V輸出的電源,那么N溝道的MOSFET的S極電壓要略低于-15V,驅(qū)動(dòng)芯片如果是對地12V供電,那么要想驅(qū)動(dòng)這個(gè)MOSFET它就要輸出高電平為-3V的驅(qū)動(dòng)信號(hào),這可能嗎?我做實(shí)驗(yàn)時(shí)選了一款凌特的高邊驅(qū)動(dòng)芯片,發(fā)現(xiàn)GS兩端的驅(qū)動(dòng)電壓高達(dá)15+12V=27V,這對MOSFET是很危險(xiǎn)的.