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功率MOSFET系列(十三):MOSFET驅動信號振蕩引起輻射發射測試超標案例

問題現象描述:

某功率電源產品,在輻射發射測試時,發現160MHz頻點附近超出標準限值,具體輻射發射測試數據如下所示:

圖1:輻射發射測試數據(一)

問題原因分析:

使用頻譜分析儀近場探頭,掃描到噪聲來自Boost PFC電路,使用近場探頭不斷縮小噪聲源范圍,發現越靠近Boost PFC電路控制芯片處,噪聲能量越強,而靠近功率電路端反而噪聲能量變弱。

由于Boost PFC電路是高壓大電流電路,頻率分析儀的探頭只能承受48V左右的電壓,無法用頻譜分析儀的尖狀探頭查找具體位置。使用示波器測量Boost PFC電路驅動信號的波形,發現靠近功率MOSFET柵極引腳處的波形非常接近理想的方波信號,靠近Boost PFC驅動芯片輸出引腳的驅動信號存在明顯的振蕩,振蕩頻率與輻射發射超標頻率完全吻合,Boost PFC驅動芯片驅動信號輸出引腳波形如下圖所示:

圖2:驅動芯片引腳處驅動信號波形(對策前)

分析PCB Layout設計,發現Boost PFC MOSFET驅動信號因單面板設計,而存在多次換層使用跳線的情況,PCB Layout如下圖所示:

圖3:驅動信號PCB Layout布線

板卡PCB Layout采用單面板設計,控制芯片輸出到MOSFET柵極引腳的驅動信號存在多根跳線、多個過孔,導致驅動信號布線寄生電感較大,引起驅動信號電壓振蕩。而靠近MOSFET柵極引腳處有串聯電阻,可以抑制其電壓振蕩,靠近芯片端由于沒有串聯電阻無法抑制電壓振蕩。    

問題解決方案:

靠近控制芯片引腳處增加20ohm串聯電阻,重新測量控制芯片驅動信號引腳處的電壓波形,發現振蕩被消除。增加電阻將原來LC電路變成LRC電路,可以有效抑制寄生振蕩,導入對策后的控制芯片引腳處電壓波形如下圖所示:

圖4:驅動芯片引腳處驅動信號波形(對策后)

驅動信號波形中的振蕩被有效抑制后,使用頻譜分析儀近場探頭重新掃描Boost PFC電路,發現噪聲能量也跟著消失,重新進行輻射發射測試,超標頻點也消失,測試數據也滿足標準限值要求,對策后輻射發射測試數據如下所示:

圖1:輻射發射測試數據(二)

【案例總結說明】:

寄生振蕩是功率開關電源產品輻射發射測試超標的主要干擾來源,寄生振蕩通常是由功率開關器件的寄生電容與PCB Layout布線的寄生電感組成,PCB布線的寄生電感與布線長度、過孔、跳線高度相關,需要嚴格控制。

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