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為需要者設(shè)計(jì)各種規(guī)格的準(zhǔn)諧振電源變壓器參數(shù)！有不有想做準(zhǔn)諧振電源的兄弟？

給大家上傳一份能工作的用NCP1207A設(shè)計(jì)的12V5A準(zhǔn)諧振電源電路圖。供大家設(shè)計(jì)參考用。

 

用NCP1207A設(shè)計(jì)的12V5A準(zhǔn)諧振電源電路圖 

全部回復(fù)(36)
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小鞏
LV.11
2
2012-06-17 16:42
支持，
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2012-06-17 17:08
設(shè)計(jì)中有哪些問題呢？
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evdi
LV.6
4
2012-06-17 17:48

同步整流會(huì)不會(huì)有問題，在起機(jī)和短路狀態(tài)下，會(huì)不會(huì)出現(xiàn)同時(shí)導(dǎo)通情況導(dǎo)致炸機(jī)？

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peng425
LV.5
5
2012-06-17 20:03
@笨小孩1114
設(shè)計(jì)中有哪些問題呢？
沒有問題。用PQ2625變壓器。
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peng425
LV.5
6
2012-06-17 20:15
@evdi
同步整流會(huì)不會(huì)有問題，在起機(jī)和短路狀態(tài)下，會(huì)不會(huì)出現(xiàn)同時(shí)導(dǎo)通情況導(dǎo)致炸機(jī)？
起機(jī)時(shí)主要靠IRF1312寄生二極管整流，輸出短路時(shí)NCP1207A會(huì)進(jìn)入低功耗保護(hù)狀態(tài)，所以其輸出可以長(zhǎng)時(shí)間短路也不會(huì)出現(xiàn)炸機(jī)。
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evdi
LV.6
7
2012-06-17 21:09
@peng425
起機(jī)時(shí)主要靠IRF1312寄生二極管整流，輸出短路時(shí)NCP1207A會(huì)進(jìn)入低功耗保護(hù)狀態(tài)，所以其輸出可以長(zhǎng)時(shí)間短路也不會(huì)出現(xiàn)炸機(jī)。

同步整流的關(guān)鍵不是導(dǎo)通而是關(guān)斷，如果關(guān)斷之前初級(jí)mos已經(jīng)導(dǎo)通就有可能炸機(jī)，在起機(jī)和短路情況下，短路在段時(shí)間內(nèi)有可能進(jìn)入CCM。

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mko145
LV.8
8
2012-06-17 21:17
@peng425
起機(jī)時(shí)主要靠IRF1312寄生二極管整流，輸出短路時(shí)NCP1207A會(huì)進(jìn)入低功耗保護(hù)狀態(tài)，所以其輸出可以長(zhǎng)時(shí)間短路也不會(huì)出現(xiàn)炸機(jī)。
能否提供一下在不同電壓和負(fù)載條件下的效率數(shù)據(jù) ~
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mly1985
LV.3
9
2012-06-18 08:35
@peng425
沒有問題。用PQ2625變壓器。

大哥能不能提供變壓器參數(shù)，495671533

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peng425
LV.5
10
2012-06-18 08:36
@evdi
同步整流的關(guān)鍵不是導(dǎo)通而是關(guān)斷，如果關(guān)斷之前初級(jí)mos已經(jīng)導(dǎo)通就有可能炸機(jī)，在起機(jī)和短路情況下，短路在段時(shí)間內(nèi)有可能進(jìn)入CCM。
由于次級(jí)MOS的開通是在初級(jí)mos關(guān)斷后，初級(jí)mos不關(guān)斷，次級(jí)MOS不會(huì)導(dǎo)通。短路時(shí)進(jìn)入CCM只要變壓器不出現(xiàn)磁飽和，就沒問題。
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peng425
LV.5
11
2012-06-18 08:46
@mko145
能否提供一下在不同電壓和負(fù)載條件下的效率數(shù)據(jù)~
AC220V輸入，滿載效率88%左右，同等條件下效率肯定要比硬開關(guān)方式的高，至于能高多少，決定于元器件選擇。
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peng425
LV.5
12
2012-06-18 09:32
@mly1985
大哥能不能提供變壓器參數(shù)，495671533

Lp=475(uH),Np=31（16+15）Ts（漆包線0.35*2）,Ns=4Ts(0.5m漆包線*5)，Na=4Ts(漆包線0.35）,PQ2625磁芯，請(qǐng)參考

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asouth
LV.8
13
2012-06-18 09:45
不錯(cuò)，支持下！就是ON的芯片有點(diǎn)小貴！你NCP1207A是什么價(jià)？
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evdi
LV.6
14
2012-06-18 10:56
@peng425
由于次級(jí)MOS的開通是在初級(jí)mos關(guān)斷后，初級(jí)mos不關(guān)斷，次級(jí)MOS不會(huì)導(dǎo)通。短路時(shí)進(jìn)入CCM只要變壓器不出現(xiàn)磁飽和，就沒問題。

你要反過來想，如果初級(jí)MOs開通是在次級(jí)Mos關(guān)斷之前怎么辦

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peng425
LV.5
15
2012-06-18 16:28
@evdi
你要反過來想，如果初級(jí)MOs開通是在次級(jí)Mos關(guān)斷之前怎么辦
不用反過來想，因?yàn)榇渭?jí)Mos的開通是在磁復(fù)位階段，而初級(jí)MOs開通是在勵(lì)磁階段。這兩個(gè)階段不可能重疊。
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peng425
LV.5
16
2012-06-18 16:38
@asouth
不錯(cuò)，支持下！就是ON的芯片有點(diǎn)小貴！你NCP1207A是什么價(jià)？
我不賣ON的芯片，只是最近有點(diǎn)空閑時(shí)間，如有兄弟想做此類準(zhǔn)諧振電源話，不管用哪家的IC,我都會(huì)提供建議。只想讓更多的兄弟了解這類電源，沒有別的意圖。
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peng425
LV.5
17
2012-06-18 19:53
有想做準(zhǔn)諧振電源的兄弟嗎？想做的快來，過期不候。
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mko145
LV.8
18
2012-06-18 19:55
@peng425
有想做準(zhǔn)諧振電源的兄弟嗎？想做的快來，過期不候。
實(shí)際上QR 對(duì)效率的提升幫助很有限 ~
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2012-06-18 21:12
學(xué)習(xí)
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peng425
LV.5
20
2012-06-19 07:35
@mko145
實(shí)際上QR對(duì)效率的提升幫助很有限~

但就是因?yàn)樾侍岣吡?%左右，看似不多，卻可以大大減少散熱器的體積，因?yàn)檫@輸入60多W的5%，就是3W多的熱損耗。　　

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mko145
LV.8
21
2012-06-19 09:15
@peng425
但就是因?yàn)樾侍岣吡?%左右，看似不多，卻可以大大減少散熱器的體積，因?yàn)檫@輸入60多W的5%，就是3W多的熱損耗?！　?/span>
5% ? 打錯(cuò)字了吧，兄弟
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peng425
LV.5
22
2012-06-19 09:50
@mko145
5%?打錯(cuò)字了吧，兄弟

硬開關(guān)的12V/5A輸出的電源效率應(yīng)是83%左右。

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mko145
LV.8
23
2012-06-19 10:15
@peng425
硬開關(guān)的12V/5A輸出的電源效率應(yīng)是83%左右。
83%？不會(huì)吧，閉著眼做，也不會(huì)低過85%。大把人做到87%、88%.  
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peng425
LV.5
24
2012-06-19 15:18
@mko145
83%？不會(huì)吧，閉著眼做，也不會(huì)低過85%。大把人做到87%、88%.  

效率的測(cè)量大多存在誤差，再討論這上下百分幾的數(shù)字沒什么意義。

但事實(shí)上同樣輸出功率的準(zhǔn)諧振電源初級(jí)MOS和次級(jí)MOS的散熱片體積比硬開關(guān)的要小許多？你想實(shí)際效率不比硬開關(guān)高的話，散熱片體積能小嗎？

 

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mly1985
LV.3
25
2012-06-19 15:36
@peng425
Lp=475(uH),Np=31（16+15）Ts（漆包線0.35*2）,Ns=4Ts(0.5m漆包線*5)，Na=4Ts(漆包線0.35）,PQ2625磁芯，請(qǐng)參考

謝大哥，實(shí)驗(yàn)中.

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peng425
LV.5
26
2012-06-19 16:50
@mly1985
謝大哥，實(shí)驗(yàn)中.

如調(diào)試中有問題，請(qǐng)發(fā)貼。我會(huì)幫你解決。

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mko145
LV.8
27
2012-06-19 17:37
@peng425
效率的測(cè)量大多存在誤差，再討論這上下百分幾的數(shù)字沒什么意義。但事實(shí)上同樣輸出功率的準(zhǔn)諧振電源初級(jí)MOS和次級(jí)MOS的散熱片體積比硬開關(guān)的要小許多？你想實(shí)際效率不比硬開關(guān)高的話，散熱片體積能小嗎？ 
好，不討論百分之幾了 ~
QR實(shí)際上并非軟開關(guān)，只是反激電源工作在 DCM模式。與普通DCM的區(qū)別在于MOSFET switch-on 的時(shí)機(jī)是A點(diǎn)還是B點(diǎn)，但不是 0電壓 . 差別有多大呢？ 對(duì)效率的影響顯然沒有 5% ~   peng 兄如果能提供你的60W電源的這個(gè)波形圖和一些參數(shù)，我可以幫你算一算
 
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peng425
LV.5
28
2012-06-19 20:36
@mko145
好，不討論百分之幾了~QR實(shí)際上并非軟開關(guān)，只是反激電源工作在DCM模式。與普通DCM的區(qū)別在于MOSFETswitch-on的時(shí)機(jī)是A點(diǎn)還是B點(diǎn)，但不是0電壓.差別有多大呢？對(duì)效率的影響顯然沒有5%~ peng兄如果能提供你的60W電源的這個(gè)波形圖和一些參數(shù)，我可以幫你算一算[圖片] 

不用算，單這一項(xiàng)肯定不能把效率提升5%。主要還有硬開關(guān)一般不用同步整流，即使用了在CCM模式下的效果也沒有準(zhǔn)諧振BCM模式下的好。

但一般設(shè)計(jì)硬開關(guān)60W反激電源滿載時(shí)應(yīng)是CCM模式工作，不是DCM.初級(jí)MOS開通應(yīng)在A左上方，不是在B處。

而準(zhǔn)諧振是工作在BCM變頻模式，滿載時(shí)初級(jí)MOS一定是在A處導(dǎo)通且工作頻率下降。

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2012-06-19 22:55
@peng425
有想做準(zhǔn)諧振電源的兄弟嗎？想做的快來，過期不候。

非常想學(xué)，但水平太菜了。我覺得控制器+MOS管的方式元件太多了，用集成MOS英飛凌QR方案可以大減少元件數(shù)量，對(duì)業(yè)余制作也簡(jiǎn)很多，你認(rèn)為是不是一個(gè)好方法？

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peng425
LV.5
30
2012-06-20 06:42
@romantic878595
非常想學(xué)，但水平太菜了。我覺得控制器+MOS管的方式元件太多了，用集成MOS英飛凌QR方案可以大減少元件數(shù)量，對(duì)業(yè)余制作也簡(jiǎn)很多，你認(rèn)為是不是一個(gè)好方法？
想用英飛凌的也可以，只要你想做，我也能幫助你。
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2012-06-20 07:55
支持。。。
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