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【專題】軟開關技術

【專題】軟開關技術
[red][本專題由 乞力馬扎羅的雪 主持][/red]

軟開關技術從提出到現在,已經好多年了.研究軟開關技術的工程人員也不在少數.但是真正在工程上是如何應用軟開關技術的呢?最好有個大蝦來主持個專題!
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2003-08-23 00:06
我先問個問題
對于開關管來說,零電壓開通和零電流開通哪個更好?那么零電壓關斷和零電流關斷呢?
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2003-08-23 00:06
@sometimes
我先問個問題對于開關管來說,零電壓開通和零電流開通哪個更好?那么零電壓關斷和零電流關斷呢?
零電壓開通,零電流關斷.
我認為開通時零電壓開通比較好,此時開關管結電容的儲能不會消耗在管子內部.
而關斷最好是零電流關斷,電流為零,說明此時管子不會有任何關斷損耗.
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hkbuaa
LV.5
4
2003-08-23 00:07
MOSFET能實現自然軟關斷
MOSFET開通期間DS兩端電壓為零,關斷時有源DS兩端電容的嵌位作用,可以使MOSFET自然零電壓關斷.雪兄,我這么分析對嗎?
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2003-08-23 00:08
@hkbuaa
MOSFET能實現自然軟關斷MOSFET開通期間DS兩端電壓為零,關斷時有源DS兩端電容的嵌位作用,可以使MOSFET自然零電壓關斷.雪兄,我這么分析對嗎?
是的
MOS的零電壓關斷一般是靠DS間的結電容來完成.有時為了讓關斷更“軟”一些,會人為的并個電容在DS之間.但MOS如果不能零電壓開通,則DS間的電容能量將耗散在RDS中.
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hkbuaa
LV.5
6
2003-08-23 00:09
@乞力馬扎羅的雪
是的MOS的零電壓關斷一般是靠DS間的結電容來完成.有時為了讓關斷更“軟”一些,會人為的并個電容在DS之間.但MOS如果不能零電壓開通,則DS間的電容能量將耗散在RDS中.
DS之間并電容,對軟開通不利
有源嵌位電路中如果增大了DS間的電容,軟開通就不易實現了.
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2003-08-23 00:09
@乞力馬扎羅的雪
是的MOS的零電壓關斷一般是靠DS間的結電容來完成.有時為了讓關斷更“軟”一些,會人為的并個電容在DS之間.但MOS如果不能零電壓開通,則DS間的電容能量將耗散在RDS中.
re:版主,對mos的零電壓關斷,我存一點異議
關斷后,電流總會給coss充電,所以電流會延續以一段時間,特別是低壓的管子,coss更大,時間更大一些,這個電流與上升的電壓產生疊加,我方復做過一些試驗,比如并電容,但這個疊加損耗并不好消除,看各位似乎用得較成功,不知道有何措施,保證零電壓關斷損耗較小,請賜教!!
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2003-08-23 00:10
@chenqq2000
re:版主,對mos的零電壓關斷,我存一點異議關斷后,電流總會給coss充電,所以電流會延續以一段時間,特別是低壓的管子,coss更大,時間更大一些,這個電流與上升的電壓產生疊加,我方復做過一些試驗,比如并電容,但這個疊加損耗并不好消除,看各位似乎用得較成功,不知道有何措施,保證零電壓關斷損耗較小,請賜教!!
我的看法.
給電容充電過程中,雖然有電壓與電流的重疊,但沒有能量損耗,能量儲存在電容中.
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2003-08-23 00:10
@乞力馬扎羅的雪
我的看法.給電容充電過程中,雖然有電壓與電流的重疊,但沒有能量損耗,能量儲存在電容中.
我開始也這樣認為
但用Rds相對大一些,Coss小一些的管代替,發現疊加時間短一些后,效率反提高1-2個百分點,不知道怎樣解釋?
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2003-08-23 00:11
@chenqq2000
我開始也這樣認為但用Rds相對大一些,Coss小一些的管代替,發現疊加時間短一些后,效率反提高1-2個百分點,不知道怎樣解釋?
關于軟開關的效率
哼哼,根據國外一些專家的報道,他們在小功率的場合對各種軟開關和硬開關做比較,發現軟開關在效率上對與硬開關無明顯的優勢.有的時候考慮到輔助支路的損耗,結電容小的開關管可以減少容性開通損耗等等,很多東西看來還待研究的了
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2003-08-23 00:11
@chenqq2000
我開始也這樣認為但用Rds相對大一些,Coss小一些的管代替,發現疊加時間短一些后,效率反提高1-2個百分點,不知道怎樣解釋?
是零電壓開通嗎?
如果不是零電壓開通,Coss小的管子的開通能量損耗也小,雖然導通損耗大了一點,但總體還是提高了效率.
但如果是零電壓開通,你所說的現象就奇怪了.
你的電路是怎樣的?
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chenqq2000
LV.5
12
2003-08-23 00:12
@乞力馬扎羅的雪
是零電壓開通嗎?如果不是零電壓開通,Coss小的管子的開通能量損耗也小,雖然導通損耗大了一點,但總體還是提高了效率.但如果是零電壓開通,你所說的現象就奇怪了.你的電路是怎樣的?
是單端正激有源箝位電路
零電壓開通借助飽和電感,波形不是嚴格的零電壓,你沒有郵香,圖要不發過來,你瞧一瞧.
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2003-08-23 00:12
@chenqq2000
是單端正激有源箝位電路零電壓開通借助飽和電感,波形不是嚴格的零電壓,你沒有郵香,圖要不發過來,你瞧一瞧.
因為不是零電壓開通,所以結電容大了損耗更大.
我的同事做過單端有源箝位正激變換器,實現零電壓開通比較困難,一般為低電壓開通.效率可以做到92%以上.
波形圖就貼在論壇里,供大家一起參考吧,謝謝.
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tianma
LV.5
14
2003-08-23 00:13
能請你給軟開關總結一個定義嗎?
謝謝
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2003-08-23 00:13
@tianma
能請你給軟開關總結一個定義嗎?謝謝
我的定義.
應用諧振的原理,讓開關管在電壓或電流過零時開通或關斷.
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2003-08-23 00:15
現在興起無源無損軟開關
有什么書或資料介紹這些的么?
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2003-08-23 00:16
誰可以講講不對稱半橋,雙管正激的軟開關拓撲和原理
謝謝
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cmg
LV.9
18
2003-08-23 12:23
@sometimes
關于軟開關的效率哼哼,根據國外一些專家的報道,他們在小功率的場合對各種軟開關和硬開關做比較,發現軟開關在效率上對與硬開關無明顯的優勢.有的時候考慮到輔助支路的損耗,結電容小的開關管可以減少容性開通損耗等等,很多東西看來還待研究的了
在小功率軟開關基本沒有優勢,特別是對反激.
軟開關本來就是針對中,大功率電源的.結電容小的開關管的開關損耗很小,所以可以提高效率,特別是在輸入電壓比較高,開關損耗是損耗的重要因素時.
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cmg
LV.9
19
2003-08-23 12:34
@sometimes
誰可以講講不對稱半橋,雙管正激的軟開關拓撲和原理謝謝
你有興趣,改天我說一下.
非對稱半橋在100多瓦以下的小功率,我相信幾乎是最優的方案,只是成本有點高,雙管正激當然可以做很大功率.
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2003-08-23 14:02
@cmg
你有興趣,改天我說一下.非對稱半橋在100多瓦以下的小功率,我相信幾乎是最優的方案,只是成本有點高,雙管正激當然可以做很大功率.
thanks
very good
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superchess
LV.1
21
2003-08-24 12:03
@cmg
你有興趣,改天我說一下.非對稱半橋在100多瓦以下的小功率,我相信幾乎是最優的方案,只是成本有點高,雙管正激當然可以做很大功率.
疑問
不對稱半橋實現軟開關的方式很多,但雙管正激要實現軟開關就比較難,大多數都是通過雙管并或雙管串等組合方式來實現,用在大功率很劃算.如果想用在小功率,且只用雙主管,容易實現嗎,一管實現軟開關也行啊.
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c3
LV.6
22
2003-08-24 21:31
@hkbuaa
DS之間并電容,對軟開通不利有源嵌位電路中如果增大了DS間的電容,軟開通就不易實現了.
只要在管子開通前,使得DS兩端的電壓為零,就沒有關系啦
只要在管子開通前,使得DS兩端的電壓為零,就沒有關系啦,也就是說,做到零電壓開通.
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cmg
LV.9
23
2003-08-25 08:31
@superchess
疑問不對稱半橋實現軟開關的方式很多,但雙管正激要實現軟開關就比較難,大多數都是通過雙管并或雙管串等組合方式來實現,用在大功率很劃算.如果想用在小功率,且只用雙主管,容易實現嗎,一管實現軟開關也行啊.
ANSWER
看來你對不對稱半橋很熟悉,那你就給sometimes說一下吧.
雙管正激實現軟開關確實比較難,但并不是原理難,而是到現在為止沒有相關的專用控制IC,其較特殊的控制方法用普通IC很難搭出來,有人用CPLD來實現,這可能是目前較現實的方法.
  一管實現近似的軟開關比較容易,用有源嵌位,用UC3850,或用3842搭電路都比較容易實現.
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hkbuaa
LV.5
24
2003-08-25 16:27
@c3
只要在管子開通前,使得DS兩端的電壓為零,就沒有關系啦只要在管子開通前,使得DS兩端的電壓為零,就沒有關系啦,也就是說,做到零電壓開通.
re
我看到的資料上說,如果DS兩端電容過大,會使磁復位時間比理論時間小的多,也就是說DS兩端電容大會增大主管兩端的電壓應力,所以不適宜并聯過多的管子.
大俠怎么認為?
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cmg
LV.9
25
2003-08-25 17:01
@sometimes
現在興起無源無損軟開關有什么書或資料介紹這些的么?
無源無損只是個折中方案.
靠L C D 的組合來實現,網上文章很多,但算不上真正的軟開關,只能算是部分軟開關,其效果跟有源的比差一些,但電路簡單,省錢,在不追求最優效果時是個不錯的選擇.
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2003-08-25 18:06
@cmg
ANSWER看來你對不對稱半橋很熟悉,那你就給sometimes說一下吧.雙管正激實現軟開關確實比較難,但并不是原理難,而是到現在為止沒有相關的專用控制IC,其較特殊的控制方法用普通IC很難搭出來,有人用CPLD來實現,這可能是目前較現實的方法.  一管實現近似的軟開關比較容易,用有源嵌位,用UC3850,或用3842搭電路都比較容易實現.
嗯~
我看了一篇臺達公司的文章,其中有對不對稱半橋的簡單描述.感覺是很不錯的軟開關方式.但是對于雙管正激,看過好多文章,發現許多控制方式都非常繁瑣,沒什么實用價值,只有看到一篇96年蔡老師他們寫的雙管正激ZVT還算簡潔可行.
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hz.power
LV.3
27
2003-08-25 19:03
@cmg
在小功率軟開關基本沒有優勢,特別是對反激.軟開關本來就是針對中,大功率電源的.結電容小的開關管的開關損耗很小,所以可以提高效率,特別是在輸入電壓比較高,開關損耗是損耗的重要因素時.
你的看法和我一樣.
.
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hkbuaa
LV.5
28
2003-08-25 21:30
@乞力馬扎羅的雪
因為不是零電壓開通,所以結電容大了損耗更大.我的同事做過單端有源箝位正激變換器,實現零電壓開通比較困難,一般為低電壓開通.效率可以做到92%以上.波形圖就貼在論壇里,供大家一起參考吧,謝謝.
問雪兄一下
您提到的“一般為低電壓開通”,是什么原因造成的?為什么不能完全降到零壓?請賜教!
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2003-08-26 09:14
@hkbuaa
問雪兄一下您提到的“一般為低電壓開通”,是什么原因造成的?為什么不能完全降到零壓?請賜教!
這是針對單端正激有源箝位電路而言.
之所以說是低電壓開通,是因為MOS管的DS電壓在開通前沒有降到零.當MOS的DS電壓低于輸入電壓時,變壓器次級的整流二極管導通,但由于此電流不足以滿足輸出電感的電流,續流二極管依然導通,變壓器相當于被短路.原邊電流為零,勵磁電流保持不變,但存在于次級.MOS的DS電壓不會再下降.
具體可以參照阮新波、嚴仰光的《直流開關電源的軟開關技術》中,有關單端正激有源箝位的章節.
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mgmmgm
LV.4
30
2003-08-26 09:53
@sometimes
現在興起無源無損軟開關有什么書或資料介紹這些的么?
老兄,大概介紹一下,如何?
老兄,大概介紹一下,如何?
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hkbuaa
LV.5
31
2003-08-26 10:31
@乞力馬扎羅的雪
這是針對單端正激有源箝位電路而言.之所以說是低電壓開通,是因為MOS管的DS電壓在開通前沒有降到零.當MOS的DS電壓低于輸入電壓時,變壓器次級的整流二極管導通,但由于此電流不足以滿足輸出電感的電流,續流二極管依然導通,變壓器相當于被短路.原邊電流為零,勵磁電流保持不變,但存在于次級.MOS的DS電壓不會再下降.具體可以參照阮新波、嚴仰光的《直流開關電源的軟開關技術》中,有關單端正激有源箝位的章節.
回雪兄
雪兄所講的情況我知道的,另外雪兄應該是筆誤吧——“當續流二極管和整流二極管都導通時,原邊電流應該為零”這里應該是電壓才對吧,那么這個時候DS兩端的電壓就為輸入電壓了,那也不能說是低電壓導通呀,這個電壓也不是很低的,這種情況應該是在沒有采取措施使DS降到零壓時的現象.
另外再問雪兄,如果采用加氣息的方式,那么大負載的情況下,氣息應該比低載時大還是小?為什么?
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