幫助計算RCC變壓器,如有需要找我,一次優化設計成功!
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@藥師佛
回colinzou:你的6V/0.6A變壓器參數如下:磁心EE16S=19mm2得:初級感量LP=3.9mH 初級匝數NP=145TS線徑=0.15mm 次級匝數NS=10TS線徑=0.55mm 反饋繞組ND=7TS 線徑=0.15mm(以上反饋繞組的匝數以MOSFET開關計算)
變壓器的繞法:初級145匝分兩段繞夾次級繞組于其中,由于輸出功率小也可以不分段繞,但變壓器的熱端(MOS管的D極)一定放在繞組的最里面,此EE16的變壓器由于窗口面積小所以不便加擋墻,但由于安規爬電距離的要求次級采用三重絕緣線繞制,反饋繞組放在最外面均繞,初級與次級繞組間加一層屏蔽(非閉合銅箔或正逆向繞線屏蔽),變壓器外磁心加一層閉合銅箔屏蔽(包住磁心面接合處),為了減少匝間電容初級繞組也可采用“Z”形繞法,但由于磁性零件制造成本的增加所以不建議采用....
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@藥師佛
變壓器的繞法:初級145匝分兩段繞夾次級繞組于其中,由于輸出功率小也可以不分段繞,但變壓器的熱端(MOS管的D極)一定放在繞組的最里面,此EE16的變壓器由于窗口面積小所以不便加擋墻,但由于安規爬電距離的要求次級采用三重絕緣線繞制,反饋繞組放在最外面均繞,初級與次級繞組間加一層屏蔽(非閉合銅箔或正逆向繞線屏蔽),變壓器外磁心加一層閉合銅箔屏蔽(包住磁心面接合處),為了減少匝間電容初級繞組也可采用“Z”形繞法,但由于磁性零件制造成本的增加所以不建議采用....
也幫我設計一個變壓器,輸入電壓AC176V-AC264V,輸出:5V/0.6A;+/-15V/50mA;15V/30mA;15V/200mA.用EE28或著EI28的變壓器
謝謝!
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@藥師佛
變壓器的繞法:初級145匝分兩段繞夾次級繞組于其中,由于輸出功率小也可以不分段繞,但變壓器的熱端(MOS管的D極)一定放在繞組的最里面,此EE16的變壓器由于窗口面積小所以不便加擋墻,但由于安規爬電距離的要求次級采用三重絕緣線繞制,反饋繞組放在最外面均繞,初級與次級繞組間加一層屏蔽(非閉合銅箔或正逆向繞線屏蔽),變壓器外磁心加一層閉合銅箔屏蔽(包住磁心面接合處),為了減少匝間電容初級繞組也可采用“Z”形繞法,但由于磁性零件制造成本的增加所以不建議采用....
看得出來你在這方面很有經驗.變壓器的繞法也很地道,適用.如果搞得好的話還可以少加一層屏蔽.但對于你這點MOS熱端(D)一定要放在繞組的最里面這點存在疑惑,看過一些廠確是這樣設計的,也聽過N多朋友這樣說.但不知你有沒有實踐經驗,是否事實證明是這樣的?聽過一個從PI公司出來的人說他們的產品很少是熱端放里面的,而且聽他分析似乎也很有道理.他說,如果是熱端放最里面,這樣就會形成一個動態磁場,會對EMI不利的.
有PI公司的人來證明一下嗎?遺憾的是沒時間,有時間一定要自己親自去證實一下.
有PI公司的人來證明一下嗎?遺憾的是沒時間,有時間一定要自己親自去證實一下.
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@xiaodong
看得出來你在這方面很有經驗.變壓器的繞法也很地道,適用.如果搞得好的話還可以少加一層屏蔽.但對于你這點MOS熱端(D)一定要放在繞組的最里面這點存在疑惑,看過一些廠確是這樣設計的,也聽過N多朋友這樣說.但不知你有沒有實踐經驗,是否事實證明是這樣的?聽過一個從PI公司出來的人說他們的產品很少是熱端放里面的,而且聽他分析似乎也很有道理.他說,如果是熱端放最里面,這樣就會形成一個動態磁場,會對EMI不利的.有PI公司的人來證明一下嗎?遺憾的是沒時間,有時間一定要自己親自去證實一下.
熱端放在里面的原因是讓自己的其他繞組層來做自己的屏蔽,你也可在最里面靠磁心中柱加一層屏蔽
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@xiaodong
藥師傅兄弟在設計變壓器時反饋都是按這個比例設計的嗎?一般來說,晶體管是按5V來計算的,MOS管則按10左右來計算的.但我曾設計過一個產品,36W的,用ER28,反饋一定得按14V來計算,否則在90V時就不能很好的保證起動OK.一時找不到原因來解釋.
補充一點,這樣設計出來的產品和按10V設計出來的產品,在待機功耗是差不多,AC264時是0.5W.
一直想做個40W的把待機功耗降到0.3W以下,卻未能成.聽過很多人說可以,而且效果不錯,各項指標都不錯,包括空載紋波.也聽過很多人說40W以下不用Y電容,卻沒有真正見識過.
一直想做個這樣的東西出來卻摸不著要領啊.
一直想做個40W的把待機功耗降到0.3W以下,卻未能成.聽過很多人說可以,而且效果不錯,各項指標都不錯,包括空載紋波.也聽過很多人說40W以下不用Y電容,卻沒有真正見識過.
一直想做個這樣的東西出來卻摸不著要領啊.
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@xiaodong
補充一點,這樣設計出來的產品和按10V設計出來的產品,在待機功耗是差不多,AC264時是0.5W.一直想做個40W的把待機功耗降到0.3W以下,卻未能成.聽過很多人說可以,而且效果不錯,各項指標都不錯,包括空載紋波.也聽過很多人說40W以下不用Y電容,卻沒有真正見識過.一直想做個這樣的東西出來卻摸不著要領啊.
降低待機功耗可以采用空載跳周模式,去掉Y電容需要在減弱共模干擾上下工夫,主要是從3個方面入手:1.減小dv/dt 2.減小分布電容 3.減小共模電流環路面積,( 變壓器的繞制工藝,MOS管漏極與變壓器的節點和變壓器次級與整流管的節點,散熱片,PCB布局等)
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@xiaodong
補充一點,這樣設計出來的產品和按10V設計出來的產品,在待機功耗是差不多,AC264時是0.5W.一直想做個40W的把待機功耗降到0.3W以下,卻未能成.聽過很多人說可以,而且效果不錯,各項指標都不錯,包括空載紋波.也聽過很多人說40W以下不用Y電容,卻沒有真正見識過.一直想做個這樣的東西出來卻摸不著要領啊.
可能是你的變壓器設計的匝比不正確導致低壓無法帶載起動,也或許你的反饋回授環路設計不當,但要具體電路具體分析才行,也不感冒然說出結論,據我所設計的RCC電路一般空載30V左右起動,帶載65V-70V就能起動,而且在高低壓輸入時效率相差不大
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@xiaodong
看得出來你在這方面很有經驗.變壓器的繞法也很地道,適用.如果搞得好的話還可以少加一層屏蔽.但對于你這點MOS熱端(D)一定要放在繞組的最里面這點存在疑惑,看過一些廠確是這樣設計的,也聽過N多朋友這樣說.但不知你有沒有實踐經驗,是否事實證明是這樣的?聽過一個從PI公司出來的人說他們的產品很少是熱端放里面的,而且聽他分析似乎也很有道理.他說,如果是熱端放最里面,這樣就會形成一個動態磁場,會對EMI不利的.有PI公司的人來證明一下嗎?遺憾的是沒時間,有時間一定要自己親自去證實一下.
你說的是功率比較大點的﹐這時一般不把熱點放在最裡面﹐這樣很難補償平衡.如這樣做﹐一般會加銅箔屏蔽來補償﹐增加成本.
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