3875死區(qū)設(shè)置
我用UC3875N做25KW加熱電源,一點(diǎn)點(diǎn)加載,上到5KW時(shí)還算正常,可是改用200GB的IGBT IGBT很快被擊穿,初步認(rèn)定是IGBT電流拖尾,死區(qū)時(shí)間不夠造成的,請問UC3875N死區(qū)最大可調(diào)到多少?
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@chenzz
你的電源擊穿IGBT應(yīng)和死區(qū)時(shí)間關(guān)系不大,IGBT的頻率應(yīng)小于25KHZ左右.(當(dāng)然也有100KHZ的,但各就相指標(biāo)會大大降.)死區(qū)時(shí)間應(yīng)大于0.1uS. UC3875N死區(qū)時(shí)間最大限度為0.4uS.一般地說死區(qū)時(shí)間自己用硬件設(shè)計(jì). 電源擊穿IGBT應(yīng)和驅(qū)動有關(guān).
我用的是57962厚膜進(jìn)行的驅(qū)動,在10KW時(shí)用的是50GB的IGBT還算正常,只不過用200GB的IGBT時(shí)才發(fā)生的擊穿,連5KW都沒有過去,驅(qū)動電路是一樣的,死區(qū)時(shí)間在3875輸出測量為2uS,過厚膜為1.4uS,查資料200GB的IGBT開啟關(guān)斷時(shí)間之和為920(最大)nS,以前同類產(chǎn)品的死區(qū)都在3uS以上,開關(guān)頻率在19KHZ--20KHZ,57962厚膜電路具有過零電壓檢測功能,在用200GB時(shí),3875移相很大所以認(rèn)為是有拖尾電流的存在.
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@chenzz
你的電源擊穿IGBT應(yīng)和死區(qū)時(shí)間關(guān)系不大,IGBT的頻率應(yīng)小于25KHZ左右.(當(dāng)然也有100KHZ的,但各就相指標(biāo)會大大降.)死區(qū)時(shí)間應(yīng)大于0.1uS. UC3875N死區(qū)時(shí)間最大限度為0.4uS.一般地說死區(qū)時(shí)間自己用硬件設(shè)計(jì). 電源擊穿IGBT應(yīng)和驅(qū)動有關(guān).
不好意思10KW時(shí)用的是75GB剛才看樣品時(shí)拿錯(cuò)了
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