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關于次級RCD吸收和效率的怪現象!

大家來看看,本人在調試當中遇見的問題,很奇怪啊!加了吸收的峰值電壓比沒有加的高!

先看看圖片:

1.沒有加RC吸收時:

  

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mofa520
LV.8
2
2012-02-08 11:08

2.加了RC吸收:C:220PF  R:15R

  

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mofa520
LV.8
3
2012-02-08 11:10
@mofa520
2.加了RC吸收:C:220PF R:15R[圖片] [圖片] 

繼續。。。。。。。

3,將C增大為470PF   R15R不變

  

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mofa520
LV.8
4
2012-02-08 11:21
@mofa520
繼續。。。。。。。3,將C增大為470PF  R15R不變[圖片] [圖片] 

VIN:85---265VAC         VO:38V    IO:200MA  

FW:110VAC時55KHZ  D:33%        230VAC時:70KHZ   D:18%    

MOS:6N60

變壓器:RM6        NP:NS=100:28   LP=1.75mH

在調試中有以下問題:

1,次極現在用的是3A200V的肖特基,在265VAC時被擊穿! 測試了見1貼中可知 起鋒值在170V,  為什么會擊穿呀?

2.對于以上三組圖,郁悶的是為什么加了吸收的峰值電壓還要比不加的高20V??

3.在VIN:110V時  效率有87.5%,在230V時,效率只有84.5%,

我的分析是;在低呀主要是導通損耗了。在高壓主要是開關損耗!

但是不知道怎么可以解決?????

請各路高手講解講解,以上是什么原因?要怎么解決啊??

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mofa520
LV.8
5
2012-02-08 11:35
@mofa520
VIN:85---265VAC        VO:38V   IO:200MA  FW:110VAC時55KHZ D:33%       230VAC時:70KHZ  D:18%    MOS:6N60變壓器:RM6       NP:NS=100:28  LP=1.75mH在調試中有以下問題:1,次極現在用的是3A200V的肖特基,在265VAC時被擊穿!測試了見1貼中可知起鋒值在170V, 為什么會擊穿呀?2.對于以上三組圖,郁悶的是為什么加了吸收的峰值電壓還要比不加的高20V??3.在VIN:110V時 效率有87.5%,在230V時,效率只有84.5%,我的分析是;在低呀主要是導通損耗了。在高壓主要是開關損耗!但是不知道怎么可以解決啊???請各路高手講解講解,以上是什么原因?要怎么解決啊??

對于上速的三個問題:

1.測試的是變壓器輸出兩腳的電壓,難道30V的余量還不夠么?

2. 這個就真的不怎么明白了,按照正常的 話應該加RC吸收后鋒值電壓應該會低一些!

3.導致效率偏差這么大,是MOS用得太大,難道是MOS的結電容太大?引起在高壓是開關損耗太高?

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mofa520
LV.8
6
2012-02-08 12:19
@mofa520
對于上速的三個問題:1.測試的是變壓器輸出兩腳的電壓,難道30V的余量還不夠么?2.這個就真的不怎么明白了,按照正常的話應該加RC吸收后鋒值電壓應該會低一些!3.導致效率偏差這么大,是MOS用得太大,難道是MOS的結電容太大?引起在高壓是開關損耗太高?

路過的高手來來說說......

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2012-02-08 12:45
@mofa520
路過的高手來來說說......

你把電路圖拿出來,可能加錯了

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zq2007
LV.11
8
2012-02-08 13:08
@bigbigeasy
你把電路圖拿出來,可能加錯了
不可能啊,應該是哪里搞錯啦。
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mofa520
LV.8
9
2012-02-08 13:12
@zq2007
不可能啊,應該是哪里搞錯啦。

我也不相信啊  但實際情況就是這樣的啊,

我反復測試了兩次!

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xgipm
LV.6
10
2012-02-08 13:51
@mofa520
我也不相信啊  但實際情況就是這樣的啊,我反復測試了兩次![圖片]
上圖吧,不要將大家的思維限制在你的想法中,因為這樣常常會誤導大家的思考方向。電阻取這么小,肯定不是RCD吸收方式,應該是RC吸收方式。阻尼吸收電阻太小了,尖峰電壓難以阻尼吸收。反而因為C的接入,在開關管開通時充的電壓在關斷期間諧振反轉釋放,由于得不到阻尼,加強了尖峰電壓。這時C越大,開通時的損耗也越大。
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dxaw001
LV.4
11
2012-02-08 14:58
@mofa520
我也不相信啊  但實際情況就是這樣的啊,我反復測試了兩次![圖片]
RC不是一定要加的,要看實際情況
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mofa520
LV.8
12
2012-02-08 15:51
@xgipm
上圖吧,不要將大家的思維限制在你的想法中,因為這樣常常會誤導大家的思考方向。電阻取這么小,肯定不是RCD吸收方式,應該是RC吸收方式。阻尼吸收電阻太小了,尖峰電壓難以阻尼吸收。反而因為C的接入,在開關管開通時充的電壓在關斷期間諧振反轉釋放,由于得不到阻尼,加強了尖峰電壓。這時C越大,開通時的損耗也越大。

上面說的是次級D,不是MOS!

原理圖等一下會上  !

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NATE007
LV.6
13
2012-02-08 16:02
@dxaw001
RC不是一定要加的[圖片],要看實際情況

同意11樓兄弟的說法   有時候實際走線以及設計剛好能很好工作  加了吸收反而不好

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mofa520
LV.8
14
2012-02-08 17:41
@NATE007
同意11樓兄弟的說法  有時候實際走線以及設計剛好能很好工作 加了吸收反而不好
我現在就是這種情況,由于輸出電流才200mA,所以一開始就沒有打算加!
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850787641
LV.7
15
2012-02-08 17:48
@mofa520
VIN:85---265VAC        VO:38V   IO:200MA  FW:110VAC時55KHZ D:33%       230VAC時:70KHZ  D:18%    MOS:6N60變壓器:RM6       NP:NS=100:28  LP=1.75mH在調試中有以下問題:1,次極現在用的是3A200V的肖特基,在265VAC時被擊穿!測試了見1貼中可知起鋒值在170V, 為什么會擊穿呀?2.對于以上三組圖,郁悶的是為什么加了吸收的峰值電壓還要比不加的高20V??3.在VIN:110V時 效率有87.5%,在230V時,效率只有84.5%,我的分析是;在低呀主要是導通損耗了。在高壓主要是開關損耗!但是不知道怎么可以解決啊???請各路高手講解講解,以上是什么原因?要怎么解決?。浚?/span>

你用6N60,才8W左右啊,為什么用那么大的MOS呢?公司很富有嗎?

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mofa520
LV.8
16
2012-02-08 20:43
@850787641
你用6N60,才8W左右啊,為什么用那么大的MOS呢?公司很富有嗎?
   公司剛好有這棵料!
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zq2007
LV.11
17
2012-02-08 20:48
@mofa520
[圖片]  公司剛好有這棵料!
不上圖大家怎么給你解決呢?
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zq2007
LV.11
18
2012-02-08 20:48
@zq2007
不上圖大家怎么給你解決呢?
紙上談兵。
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mofa520
LV.8
19
2012-02-08 20:55
@zq2007
不上圖大家怎么給你解決呢?

不好意思呀   明天傳上來,太忙了,給忘記了!

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0664031
LV.5
20
2012-02-09 13:54
@mofa520
不好意思呀  明天傳上來,太忙了,給忘記了![圖片]
上面的兩個波形中,左邊的是哪里的波形呢?
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pangjihao
LV.10
21
2012-02-09 14:32
@0664031
上面的兩個波形中,左邊的是哪里的波形呢?

電壓高了,二極管的選擇是個問題!你可以考慮換個UF5404來試試看波形的變化.

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mofa520
LV.8
22
2012-02-09 15:36
@0664031
上面的兩個波形中,左邊的是哪里的波形呢?
左邊的是沒有展開時的波形,右邊是展開后的波形!
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mofa520
LV.8
23
2012-02-09 15:38
@pangjihao
電壓高了,二極管的選擇是個問題!你可以考慮換個UF5404來試試看波形的變化.
問題的關鍵在于我加了RC吸收后 峰值還要高一些.沒有加時有170V,加了就是190V!
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0664031
LV.5
24
2012-02-09 18:25
@mofa520
左邊的是沒有展開時的波形,右邊是展開后的波形!
這個不正常吧。沒展開的波形怎么是這樣的呢?
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mofa520
LV.8
25
2012-02-09 18:43
@0664031
這個不正常吧。沒展開的波形怎么是這樣的呢?
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0664031
LV.5
26
2012-02-09 18:54
@mofa520
[圖片]
我是指那個沒展開時的包絡線為什么是錐形的呢?
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2012-02-10 09:30
DCM可以不加,加的不適當振蕩更歷害。
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luolin8805
LV.4
28
2012-02-10 10:08
@mofa520
路過的高手來來說說......

反正你的電流只有200mA那就用耐壓高點的肖特基咯。比如HER304  UF5408這樣的

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mofa520
LV.8
29
2012-02-10 12:14
@dianyuanaihao
DCM可以不加,加的不適當振蕩更歷害。

之前也做了幾款,但沒有遇見過這樣的現象!

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xgipm
LV.6
30
2012-02-10 13:19
@mofa520
之前也做了幾款,但沒有遇見過這樣的現象!

談談我的理解

      當反向恢復時間以存儲時間為主時,即只考慮存儲時間不考慮下降時間的影響時,反向恢復期間二極管仍然為正向電壓,即反向恢復期間二極管本身主要是輸出能量、損耗小。即反向恢復期間給電路提供了流通的電量(即反向恢復電流*反向恢復時間)此電量取決于轉換前正向電流的大小。
     前級開關管導通起始瞬間,次級二極管進入反向恢復期間為短路狀態,開關管電流受限于較小的漏感和線圈電阻,初次級電流尖峰會很大(當然初級還另含有線圈寄生電容的電流尖峰)。次級二極管儲存的電荷釋放完畢后次級才真正關斷(當然還有部分分布電容形成的電流回路),此后次級漏感尖峰電流要通過寄生電容續流,從而產生反向電壓尖峰(此狀態有點類似前級開關管關斷時的狀況)。次級整流二極管并電容可降低電壓尖峰,降低二極管的耐壓要求。
     如果次級整流二極管是沒有反向恢復電流的肖特基二極管,前級開關管導通時,次級電流回路剩下寄生電容,電壓尖峰會顯著下降,如果此時二極管并上的電容不合適,反而會給次級漏感提供電流通路,加大電壓尖峰。
     對于DCM來說,因二極管翻轉之前的正向電流為零,不存在反向恢復電流的影響,可不并電容,否則也有可能加大尖峰電壓。

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2012-02-10 14:07
@mofa520
VIN:85---265VAC        VO:38V   IO:200MA  FW:110VAC時55KHZ D:33%       230VAC時:70KHZ  D:18%    MOS:6N60變壓器:RM6       NP:NS=100:28  LP=1.75mH在調試中有以下問題:1,次極現在用的是3A200V的肖特基,在265VAC時被擊穿!測試了見1貼中可知起鋒值在170V, 為什么會擊穿呀?2.對于以上三組圖,郁悶的是為什么加了吸收的峰值電壓還要比不加的高20V??3.在VIN:110V時 效率有87.5%,在230V時,效率只有84.5%,我的分析是;在低呀主要是導通損耗了。在高壓主要是開關損耗!但是不知道怎么可以解決?????請各路高手講解講解,以上是什么原因?要怎么解決????

1,熱損壞;

2,DCM不用加吸收,會帶來意想不到的結果;

3,變壓器設計不合理,正常情況下應該是高壓效率高.

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