大家來看看,本人在調試當中遇見的問題,很奇怪啊!加了吸收的峰值電壓比沒有加的高!
先看看圖片:
1.沒有加RC吸收時:
VIN:85---265VAC VO:38V IO:200MA
FW:110VAC時55KHZ D:33% 230VAC時:70KHZ D:18%
MOS:6N60
變壓器:RM6 NP:NS=100:28 LP=1.75mH
在調試中有以下問題:
1,次極現在用的是3A200V的肖特基,在265VAC時被擊穿! 測試了見1貼中可知 起鋒值在170V, 為什么會擊穿呀?
2.對于以上三組圖,郁悶的是為什么加了吸收的峰值電壓還要比不加的高20V??
3.在VIN:110V時 效率有87.5%,在230V時,效率只有84.5%,
我的分析是;在低呀主要是導通損耗了。在高壓主要是開關損耗!
但是不知道怎么可以解決?????
請各路高手講解講解,以上是什么原因?要怎么解決啊??
對于上速的三個問題:
1.測試的是變壓器輸出兩腳的電壓,難道30V的余量還不夠么?
2. 這個就真的不怎么明白了,按照正常的 話應該加RC吸收后鋒值電壓應該會低一些!
3.導致效率偏差這么大,是MOS用得太大,難道是MOS的結電容太大?引起在高壓是開關損耗太高?
你用6N60,才8W左右啊,為什么用那么大的MOS呢?公司很富有嗎?
談談我的理解
當反向恢復時間以存儲時間為主時,即只考慮存儲時間不考慮下降時間的影響時,反向恢復期間二極管仍然為正向電壓,即反向恢復期間二極管本身主要是輸出能量、損耗小。即反向恢復期間給電路提供了流通的電量(即反向恢復電流*反向恢復時間)此電量取決于轉換前正向電流的大小。
前級開關管導通起始瞬間,次級二極管進入反向恢復期間為短路狀態,開關管電流受限于較小的漏感和線圈電阻,初次級電流尖峰會很大(當然初級還另含有線圈寄生電容的電流尖峰)。次級二極管儲存的電荷釋放完畢后次級才真正關斷(當然還有部分分布電容形成的電流回路),此后次級漏感尖峰電流要通過寄生電容續流,從而產生反向電壓尖峰(此狀態有點類似前級開關管關斷時的狀況)。次級整流二極管并電容可降低電壓尖峰,降低二極管的耐壓要求。
如果次級整流二極管是沒有反向恢復電流的肖特基二極管,前級開關管導通時,次級電流回路剩下寄生電容,電壓尖峰會顯著下降,如果此時二極管并上的電容不合適,反而會給次級漏感提供電流通路,加大電壓尖峰。
對于DCM來說,因二極管翻轉之前的正向電流為零,不存在反向恢復電流的影響,可不并電容,否則也有可能加大尖峰電壓。
1,熱損壞;
2,DCM不用加吸收,會帶來意想不到的結果;
3,變壓器設計不合理,正常情況下應該是高壓效率高.