柵不能直接并,其它原理正確,但工藝及布線復雜,建議用大MOSFET,如果還不夠,可以用IR的W/PD1/U等系列的IGBT,尤其是W系列,開關速度可以和MOSFET媲美,而且壓降低.

為什么不能并

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直接并時;分布參數將可能引起柵驅動信號震蕩!

可以并聯,但兩個管子的回路阻抗不能很好地被控制,所以不能很好地實現均流,如果是大電流的話,可能其中一個管子一直處于過功率狀態,要慎重選用.

可以并聯,但兩個管子的回路阻抗不能很好地被控制,所以不能很好地實現均流,如果是大電流的話,可能其中一個管子一直處于過功率狀態,要慎重選用.

謝謝各位大師的回答!
請問一下FDFB你提供的圖可以嗎?

從原理上和上面的有區別嗎?如果上面的會出現不均流.這個不也會嗎?

可以并聯,因為MOSFET是負溫度系數,所以會使管子的回路阻抗基本保持一樣,但盡量使用同類型,同datecode的管子,在UPS中經常會使用并聯.

謝謝你的解答!

老狼大師你好!謝謝你的解答!
在些還想請教你一個問題:怎樣控制2管的回路阻抗,除了管子本身的因素可不可以從電路上解決些問題呢?可否提供相關電路并給我們做個分析!
謝!

打字太快了吧,MOSFET R(DS)是正溫度系數,正是由于這個特性可以自動均流.

已量產.

xkw1:直接并時;分布參數將可能引起柵驅動信號震蕩
Shiping_jiao:可以并聯,因為MOSFET是正溫度系數,所以會使管子的回路阻抗基本保持一樣,但盡量使用同類型,